牛客 哈尔滨理工大学软件与微电子学院第八届程序设计竞赛同步赛(高年级)小乐乐积木 DFS

本文探讨了一种通过使用1*2和2*1尺寸的地砖搭建n*m尺寸积木城堡的算法。通过深度优先搜索(DFS)策略,文章详细解释了如何计算所有可能的组合方案,确保覆盖整个城堡区域且不留下空隙。特别关注了状态分割和终止条件的设定,以实现暴力求解。

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链接:https://ac.nowcoder.com/acm/contest/301/B
来源:牛客网
 

小乐乐想要给自己搭建一个积木城堡。

积木城堡我们假设为n*m的平面矩形。

小乐乐现在手里有1*2,2*1两种地砖。

小乐乐想知道自己有多少种组合方案。

//本题给的范围较小,可暴力求解


首先因为每次我们能放的积木只有面积为2的,所以总的矩形面积若是为奇,则怎么也拼不出来。

要想拼完,我们首先想到的就是一个一个塞进去试,dfs暴力求解;

那么我们要注意的是终结时候的状态,因为有2*1和1*2两种,我们把最末状态分成1*1的单独状态来判断,只可以在原基础上或者右加1*1积木;

切分状态后的终止条件是所放积木的总面积等于给出n*m。

ps:这里的x,y因为本次面积下确定方式(横竖)不同,把二维数组折成一维,如果n=2,m=3,pos == 5时,则判断此次位置为(2,1);根据起始点的不同,如果定义dfs(1)开始,x = pos/m +1,y=pos%m,此时y会在所对应的位置就会在边上,其实下个位置应该是判断下一行的末尾,应当判断y == 0的情况和保证下面的xx<=n&&yy<=m;

if(y == 0)
{
  x--;
  y = m;
}

分割线:


#include<bits/stdc++.h>
using namespace std;
int vis[15][15];//二维图用二维数组表示 
int dir[3][2] = {{0,1},{1,0}};//分割状态后我们能加的木块只有在原木块的上面或者右面;
 
int ans,n,m,s; //总方案,宽,长,总面积 

void dfs(int pos){
	if(pos == s){ //终止条件 
	    ans++; 
		return;
	}
	int x = pos/m , y = pos % m; //x,y是当前面积下我们进行判断后放的下一积木的位置 
	//dfs(1)时y的判断
	if(vis[x][y]){ //拆分状态后单独判断终止条件 ,且判断此次放的位置是否未被使用(上次放的积木被拆分的后位) 
		return dfs(pos+1); 
	}
	
	for(int i = 0;i <= 1; ++i){//这就没啥说的了 
		 int xx = x + dir[i][0];
		 int yy = y + dir[i][1];
        if(xx < n && yy < m && vis[xx][yy]==0){
        	vis[xx][yy] = 1;
        	vis[x][y] = 1;
        	dfs(pos+1);
        	vis[xx][yy] = 0;
        	vis[x][y] = 0;
		}
	}
	return;
}

int main(){
     cin>>n>>m;
     s = n * m;
     if(s&1){ //奇数面积无解 
     	cout<<"0"<<endl;
     	return 0;
	 }
	 //memset(vis,0,sizeof(vis));
	 dfs(0); 
	 cout<<ans<<endl;
	 
	return 0;
}

 

 

 

资源下载链接为: https://pan.quark.cn/s/abbae039bf2a 无锡平芯微半导体科技有限公司生产的A1SHB三极管(全称PW2301A)是一款P沟道增强型MOSFET,具备低内阻、高重复雪崩耐受能力以及高效电源切换设计等优势。其技术规格如下:最大漏源电压(VDS)为-20V,最大连续漏极电流(ID)为-3A,可在此条件下稳定工作;栅源电压(VGS)最大值为±12V,能承受正反向电压;脉冲漏极电流(IDM)可达-10A,适合处理短暂高电流脉冲;最大功率耗散(PD)为1W,可防止器件过热。A1SHB采用3引脚SOT23-3封装,小型化设计利于空间受限的应用场景。热特性方面,结到环境的热阻(RθJA)为125℃/W,即每增加1W功率损耗,结温上升125℃,提示设计电路时需考虑散热。 A1SHB的电气性能出色,开关特性优异。开关测试电路及波形图(图1、图2)展示了不同条件下的开关性能,包括开关上升时间(tr)、下降时间(tf)、开启时间(ton)和关闭时间(toff),这些参数对评估MOSFET在高频开关应用中的效率至关重要。图4呈现了漏极电流(ID)漏源电压(VDS)的关系,图5描绘了输出特性曲线,反映不同栅源电压下漏极电流的变化。图6至图10进一步揭示性能特征:转移特性(图7)显示栅极电压(Vgs)对漏极电流的影响;漏源开态电阻(RDS(ON))随Vgs变化的曲线(图8、图9)展现不同控制电压下的阻抗;图10可能涉及电容特性,对开关操作的响应速度和稳定性有重要影响。 A1SHB三极管(PW2301A)是高性能P沟道MOSFET,适用于低内阻、高效率电源切换及其他多种应用。用户在设计电路时,需充分考虑其电气参数、封装尺寸及热管理,以确保器件的可靠性和长期稳定性。无锡平芯微半导体科技有限公司提供的技术支持和代理商服务,可为用户在产品选型和应用过程中提供有
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