3300V碳化硅MOSFET业界领先的国产（SiC）功率器件

3300V碳化硅MOS器件承受更高的击穿电压，有更低的电阻率，工作温度更高。更能胜任在特别需要更高耐压以及雪崩等级的工业领域的设计要求,对要求高频的应用更是不二选择。牵引功率单元（TPU）、辅助动力装置（APU）、固态变压器（SST）、工业电机驱动和能源基础设施解决方案的系统设计人员需要借助高压开关技术来提高效率和可靠性，并减小系统尺寸和重量。ASC60N3300MT4规格书：百度网盘 请输入提取码 kr8i

产品特点

 1. 高耐压能力

• 器件的耐压能力高达3300V，远超传统硅基MOSFET和IGBT的耐压水平（900V～1200V）

2. 低导通电阻

• 器件具有极低的导通电阻，在18V驱动电压下低至58mΩ，配合低热阻新型TO-247-4L封装设计，可以有效提升电流能力，满足大功率应用需求

3. 高温稳定性

2. 实现小型化和轻量化

3. 增强系统可靠性

4. 降低系统成本更小的安装半导体芯片面积，提高系统功率密度的同时，也降低了材料成本器件拥有体二极管，无需额外并联二极管，从而减少了物料清单成本（BOM）

     5. 拓宽应用领域

        

• 器件能够在-55°C至175°C的宽温度范围内稳定运行，适用于各种环境条件，提高了应用的灵活性
  

  4. 高开关速度

• 碳化硅材料的电子迁移率比硅高，能够更快地响应外部信号，器件因此具有更高的开关速度，有助于减少开关损耗，提高系统的动态性能

• 搭载自主研发的碳化硅MOSFET芯片，器件能够在较小的尺寸下承受更大的电流，提升了功率密度

• 新型TO-247-4L封装设计，能够满足器件在现代电力电子系统中日益增长的高功率密度需求，使系统设计更为紧凑和高效

  5. 高功率密度

• 搭载自主研发的碳化硅MOSFET芯片，器件能够在较小的尺寸下承受更大的电流，提升了功率密度

• 新型TO-247-4L封装设计，能够满足器件在现代电力电子系统中日益增长的高功率密度需求，使系统设计更为紧凑和高效

  6. 高可靠性

• 新型TO-247-4L封装设计使得器件具有更高的爬电距离和间隙、更高的直流母线电压，提供了更高的过压保护裕量，减少了因电压突波导致的损坏风险

• 一流的散热性与防潮性能够保证器件在高负载高频率开关条件、潮湿环境下的稳定运行，延长了使用寿命

  产品优势

  1. 提高能源效率

• 无源储能装置尺寸减小，能在更高开关频率下运行，进一步提升系统效率

• 牵引电机谐波损耗减少，有助于提高牵引电机的效率和寿命

• 器件的高热导率显著降低了其对散热系统的要求，减少了散热组件的尺寸和重量

• 更小的散热组件有助于减小系统体积和重量，从而实现电源系统的小型化和轻量化

• 在高电压、高开关频率、高温运行条件下，器件具备快速响应能力，确保系统的连续运行不受影响

• 器件在各种复杂、恶劣的工作条件下都能保持稳定、可靠的运行状态，减少了维护成本和系统停机时间

• 更小的安装半导体芯片面积，提高系统功率密度的同时，也降低了材料成本

• 器件拥有体二极管，无需额外并联二极管，从而减少了物料清单成本（BOM）

• 在传统硅基MOSFET和IGBT难以胜任的大功率高端细分领域得到应用，如列车和牵引系统、工业不间断电源、工业电机驱动、重型车辆、智能电网、3300Vac牵引变频器、光伏逆变器、储能电源、高压DC/DC变换器、特种军用车等