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RSS订阅原创 大功率SiC MOSFET 模块驱动技术研究
第三代半导体—SiC（碳化硅）具有宽禁带、高饱和漂移速度、高热导率等物理特性，因此基于SiC材料开发的功率开关器件相较Si（硅）器件阻断电压更高、开关速度更快、工作损耗更小、工作温度范围更广。目前，三菱电机、CREE等半导体厂家已面向市场推出1200V/800A等级、1700 V/300A等级大功率SiC-MOSFET，随着市场需求扩大和工艺水平提升，大功率SiC模块价格也将逐渐降低，可以预见未来Si-IGBT或被SiC-MOSFET逐步替代，因此及时开展SiC-MOSFET的应用研究工作十分必要。
2025-09-30 09:30:49
939
原创 解用于碳化硅 MOSFET 的短路保护方法
SiC MOSFET 有望取代 IGBT，从而实现更紧凑、更高效的系统。SiC MOSFET 的短路保护方案应从以下几个方面进行评估：快速响应时间、低功率损耗、高精 度、高抗噪性和低成本。应努力改善保护电路、栅极驱动器和 PCB 布局，以提高整体性能。
2025-09-30 09:27:38
589
原创 SiC 功率器件在家用空调上的研究与应用
SiC MOS】+【SiC 二极管】+【SiC IPM】，SiC 控制器效 率高、电感 / 散热器 /PCB 尺寸可减小、整个控制器小型化、轻量化、高效化，但现阶段成本相对较高。SiC 器件带来新的技术革命，在家电行业的应用技术将不断发展、不断成熟。
2025-09-29 10:38:32
753
原创 车载充电机（OBC）的技术迭代：碳化硅（SiC)器件助力6kW～30kW+的产品
在新能源汽车OBC的演进道路上，碳化硅器件不是一种简单的替代，而是一种技术赋能。它通过其高频、高效、耐高温的固有特性，直接催生了像图腾柱PFC这样的高效拓扑，使得OBC能够实现从效率、功率密度到功能（双向充电）的全面跨越。同时，市场的需求也反过来驱动着SiC器件技术不断精进：更低的损耗、更稳健的可靠性、更先进的封装，这些提升共同确保了SiC在OBC这一重要应用中，从“技术上的优势”转化为“市场上必胜的筹码”。
2025-09-29 10:24:26
1200
原创 650V-1200V-1700V-2000V-3300V的碳化硅功率器件应用及其设计
碳化硅（SiC）作为一种宽禁带半导体材料，具有更低的导通电阻、更高的工作温度和工作电压等优异特性，这使得它在高压大功率领域得到越来越多的应用。碳化硅功率器件，作为能源转换系统的核心部件，被广泛应用于各类电子设备中，包括新能源汽车、5G通讯、光伏发电、智能电网、消费电子、国防军工、航空航天等领域。这些应用领域的广泛性，使得碳化硅器件的市场需求持续增长。
2025-09-28 12:08:32
1093
原创 3300V的SiC MOSFET的产品优势及应用领域
SiC MOSFET作为第三代功率半导体器件，以其阻断电压高、工作频率高、耐高温能力强、通态电阻低和开关损耗小等特点，成为当前最具市场前景的半导体产品之一。这些特性使得SiC MOSFET能够在高温和高频的工作环境下保持高效和稳定的工作，从而提高系统的整体效率和可靠性。因此，它在新能源汽车的充电和驱动系统中、光伏逆变器的能量转换过程中、储能电源的高效能量存储和释放中、轨道交通和牵引变频器的动力控制中，以及大功率特种电源的应用中，都发挥着至关重要的作用。
2025-09-28 12:06:23
1253
原创 碳化硅(SiC)器件在光伏逆变器与储能系统中的应用及产品介绍
碳化硅（SiC）器件凭借其优异的物理特性和不断下降的成本，正在为光伏逆变器和储能系统带来显著的性能提升：更高的转换效率、更高的功率密度、更低的系统损耗和更强的可靠性。这不仅推动了光伏和储能技术本身的进步，也为构建更高效、更灵活、更稳定的新型电力系统提供了关键技术支持。
2025-09-26 08:53:35
1863
原创 适用于电机驱动器和工业应用的25 kW碳化硅（SiC）三相逆变器的设计
SiC 器件对传统硅器件的优势，本质是 “材料特性→器件性能→系统价值” 的层层传导 ：通过降低损耗实现 “节能”、通过高频与小型化实现 “紧凑”、通过耐高温实现 “可靠”、通过高频控制实现 “精密”。这些优势完美契合了工业领域 “高效节能、小型轻量化、高可靠性、精密控制” 的核心需求，正在加速电机驱动器、工业变频、储能等场景的技术升级。
2025-09-26 08:49:44
1126
原创 超高密度2kW GaN基低压电机驱动器的设计
GaN 器件凭借高效、高频、小型化、高可靠等核心优势，精准契合了低压电机驱动器对能效、体积、控制性能的升级需求。随着成本下降与技术成熟，GaN 器件将在更多低压场景实现对 Si MOSFET 的替代，推动低压电机驱动系统向 “高效化、小型化、智能化” 方向发展。
2025-09-25 18:21:58
675
原创 基于SiC的60kW LLC变换器采用新型变压器设计
基于SiC器件的LLC变换器，是电力电子领域 “高频化、高效化、小型化” 发展趋势的核心载体。其本质是通过SiC的材料特性释放LLC拓扑的软开关潜力，实现 “损耗 - 体积 - 效率” 的最优平衡。随着SiC器件成本下降、驱动与保护技术成熟，SiC-LLC将在更多高压、大功率场景中替代硅基方案，成为下一代电力变换的主流技术。
2025-09-25 18:19:25
903
原创 碳化硅 MOSFET与硅 MOSFET 的应用对比分析
碳化硅 MOSFET 是一个性能优异的高压开关器件，不仅具有良好的阻断能力、低导通电压，同时具备了极快的开关速度，是众多的高压可关断型电力半导体器件中的佼佼者。其极快的开关速度可以用于高压、高频的开关功率变换领域。
2025-09-22 08:59:31
1209
原创 SiC MOSFET模块在飞行器电控系统中的应用
SiC MOSFET器件在航空航天领域具有广泛的应用前景，可以提高系统的性能和可靠性，同时也可以满足航空航天领域对高温、高压、高功率等特殊环境的要求。随着技术的不断发展，SiC MOSFET器件将会在航空航天领域中发挥越来越重要的作用。
2025-09-22 08:56:43
1017
原创 SiC MOSFET 隔离式高速驱动电路设计
基于分立器件的 SiC MOSFET 隔离式高速驱动电路，采用双脉冲测试验证了开通速度为 92ns，关断速度为 79ns，而且具有应用潜力。若将驱动电路中的分立器件换成耐高温器件，则可以应用于高温油井、电动汽车、飞机和武器等高温系统。
2025-09-22 08:52:36
1284
原创 SiC MOSFET和Si MOSFET、IGBT的差异与应用
SiC MOSFET在耐压、导通电阻、开关速度、耐高温性能和工作频率方面相较于Si MOSFET和IGBT具有显著优势，这使得SiC MOSFET在需要高性能、高频率、高耐压和高温度稳定性的应用中成为优选。
2025-09-20 10:10:13
1283
原创 SiC MOSFET器件在电能质量控制设备中的应用及优势
SiC技术已经相当成熟，可以适用在从千瓦到兆瓦功率的工业应用范围中，影响了能源、工业和汽车等众多领域。由于SiC器件运作时的温度较低，及较小的磁性器件，因此在系统中所需的热管理和电源器件的尺寸更小、重量更轻、成本更低，从而降低了整体BOM成本，同时也实现了更小的占用空间。 随着SiC技术的快速发展，在电力传输系统也开始大量采用SiC解决方案，特别在ESS应用中，像是电动汽车充电系统，以及利用电池储存电能的太阳能系统。这些系统中的DC/DC升压转换器、双向逆变器（交流电和直流电互相转换）、电池充电电路中应用。
2025-09-20 09:45:23
1064
原创 探讨碳化硅(SiC)MOSFET器件在车载充电机（OBC)中的应用优势
碳化硅功率器件凭借其卓越的性能，正在推动车载充电机技术的革新。随着电动汽车向高压平台和双向充电方向发展，碳化硅基OBC将成为未来电动汽车充电系统的核心。爱仕特作为碳化硅技术的引领者，将继续致力于为行业提供高效、可靠的解决方案，助力电动汽车产业的快速发展。
2025-09-20 09:37:18
1110
原创 SiC MOSFET器件的选型与应用设计
碳化硅（SiC）MOSFET及功率模块的技术应用与市场分析报告，内容涵盖应用场景、选型指南、应用方法及市场前景。报告基于当前技术发展和行业趋势编写，力求为电力电子工程师提供实用参考。
2025-09-19 10:49:51
986
原创 低温银烧结工艺，提高SiC功率模块的效率与可靠性，加速SiC器件在电动汽车、航空航天和工业电源等领域应用
银烧结技术通过低温工艺与高可靠连接，为SiC功率器件提供了突破高温瓶颈的终极方案。爱仕特基于实测数据与行业验证，持续优化产品性能，助力客户在工业电源、电动汽车与航空航天领域实现效率与可靠性的双重跃升。随着材料与工艺的迭代，这项技术有望在更广阔的能源领域释放潜力，推动电力电子系统向更高效、紧凑的未来迈进。
2025-09-19 10:44:37
752
原创 SiC MOSFET器件在eVTOL飞行器的应用及发展趋势
SiC MOSFET器件通过效率跃升与轻量化革新，正推动eVTOL从实验阶段迈向商业化运营。SiC MOSFET器件已成为 eVTOL 电力系统的核心组件，其性能提升与成本下降将推动行业进入规模化应用阶段。未来 3-5 年，随着 8 吋晶圆量产、车规级认证普及及国产供应链成熟，SiC 器件在 eVTOL 中的渗透率将突破 50%。建议开发团队重点关注高可靠性封装技术、智能化驱动方案及国产化供应链管理，以应对行业快速发展带来的技术与商业挑战，为全球eVTOL产业树立“中国标准”。
2025-09-19 10:40:39
654
原创 34mm封装碳化硅MOSFET半桥模块，助力工业电源（焊机逆变、感应加热设备、高频逆变器、不间断电源）的高效化和小型化
随着34mm、62mm工业封装碳化硅模块产品阵容的不断扩大，也可为客户提供应用的更多灵活性和最大可靠性，不仅可应用于工业领域还可应用于风力、光伏、充电桩、电动汽车等新能源领域。
2025-09-18 10:37:22
893
原创 TOLL封装的SiC MOSFET
随着全球对可再生能源和清洁电力系统的需求不断增长，光储充一体化市场为实现能源的高效利用和优化配置提供了创新解决方案。在此趋势引领下，碳化硅器件凭借其高频、高效、耐高温、耐高压等特性，可以实现节能降耗，小体积，重量低，高功率密度等特性，在新能源汽车、光伏储能、轨道交通、智能电网等工业电源领域具有明显优势，正在加速替代传统硅基器件。
2025-09-18 10:32:03
1202
原创 8种封装的1700V国产碳化硅(SiC)功率模块产品介绍及应用
碳化硅器件的高频特性、耐高压和耐高温性能，能够显著提高效率和功率密度，降低应用端的成本、体积和重量。随着碳化硅技术在电力电子领域的快速发展，1700V SiC MOSFET器件为中压大功率转换领域提供了强有力的技术支持。凭借其高功率密度、高可靠性和多样化选择，该系列产品在射频器件-新能源汽车-光伏发电-智能电网-轨道交通...等多个行业中发挥重要作用，助力我国新能源和电力电子产业的持续升级。
2025-09-18 10:23:11
2104
原创 高压大电流SiC MOSFET功率器件的应用分析报告
高压大电流SiC MOSFET功率模块凭借其卓越的性能优势，在新能源汽车、eVTOL、光伏新能源、工业、轨道交通等多个领域展现出了广阔的应用前景。在实际应用中，需要根据不同的应用场景和需求，合理选择SiC MOSFET功率模块的方案和型号，并关注其驱动电路设计和散热设计。随着技术的不断创新和成本的持续降低，SiC MOSFET功率模块将在未来的电力电子领域发挥更加重要的作用，推动各行业向高效、节能、智能化方向发展 。
2025-09-17 10:51:38
1666
原创 Econodual封装1200V1000A的SiC功率模块产品介绍及仿真测试
高压大电流 SiC 功率模块正从技术验证走向规模化商用，其应用场景已覆盖新能源汽车、智能电网、可再生能源等关键领域。随着成本下降、技术性能提升和产业链成熟，SiC 模块将在 2025 年后加速替代 IGBT，成为下一代电力电子系统的核心。未来，SiC 与氮化镓（GaN）将形成互补格局 ——SiC 主导高压大电流场景，GaN 聚焦高频低功率领域，共同推动全球能源效率革命。
2025-09-17 10:37:27
533
原创 1700V碳化硅MOSFET在辅助电源中的应用深度解析
碳化硅（SiC）MOSFET以其高耐压、低导通电阻、超快开关速度和优异的高温特性，正在为辅助电源（Auxiliary Power Supply, APS）设计带来革命性变化。它能够显著提升辅助电源的效率、功率密度和工作温度范围，同时降低系统体积、重量和热管理复杂度，尤其适用于对可靠性、效率和小型化要求极高的应用场景。
2025-09-17 10:28:31
813
原创 SiC三电平模块方案助力工商储能PCS高效化
碳化硅器件通过“高频高效+高功率密度+高可靠性”三位一体优势，解决了工商业储能在复杂应用场景下的核心痛点。随着国产SiC产业链成熟与光储一体化需求爆发，基于SiC的储能系统将从“技术替代”走向“市场主导”，成为工商业能源转型的核心基础设施。未来需进一步优化SiC驱动电路设计、完善国际认证体系，并在虚拟电厂框架下探索多模态盈利策略。
2025-09-16 09:33:14
1081
原创 SiC MOSFET器件替代 Si IGBT 器件的应用区别与方案设计
SiC MOSFET 替代 IGBT 是 “高频化、高效化、小型化” 的技术升级，核心在于发挥高频优势的同时解决高速开关带来的 EMI、保护和散热挑战。方案设计需从器件特性出发，重构驱动、散热、控制和电磁兼容设计，尤其适合对效率、体积和高温性能要求高的场景（如新能源汽车、可再生能源、高端电源）。未来随着 SiC 工艺成熟和成本下降，替代趋势将从高压高频场景向中低压领域拓展，但在超高压（>3300V）和极低频场景中，IGBT 仍将保留部分市场。
2025-09-16 09:31:38
1293
原创 1200V-3300V的高压大电流的SiC器件产品介绍及应用
SiC 器件在高压大电流领域的应用已从早期试点进入规模化推广阶段，其效率、功率密度和可靠性优势正推动新能源汽车、可再生能源等产业的技术革命。随着 8 英寸晶圆量产、成本持续下降及政策支持强化，SiC 有望在 2030 年前成为电力电子领域的主流选择，重塑全球能源转换格局。
2025-09-16 09:16:17
1385
原创 采用TO263-7封装的650V～1700V的SiC MOSFET器件
TO263-7封装的SiC MOSFET通过多引脚并联、Kelvin源极、高效散热和低寄生电感设计，重新定义了功率器件的性能边界。其在高功率密度、宽温范围、高频开关和可靠性方面的优势，使其成为电动汽车、工业电源和可再生能源领域的核心组件。随着材料与封装技术的持续创新，该封装形式将进一步推动能源系统向高效、小型化和智能化方向发展。
2025-09-15 09:07:16
1072
原创 62mm封装的碳化硅（SiC）功率模块的产品及应用
62mm封装SiC功率模块通过高功率密度、低寄生参数、优异散热与高可靠性的设计，完美适配了 SiC 器件的高频、低损耗、耐高温特性，成为中高功率领域（尤其是电镀电源、焊机电源、感应加热设备、工业驱动、储能）的核心选择。其标准化设计与性能平衡能力，既满足了大功率场景的严苛需求，又降低了客户的系统集成门槛，未来随着 SiC 器件成本下降和行业对高效节能需求的提升，62mm 封装将在更多领域实现规模化应用。
2025-09-15 09:04:03
1051
原创 SM8贴片塑封SiC半桥模块，具有顶部散热层，集成了NTC温度传感器，适合紧凑、轻便、高效率的应用场景
随着新能源、智能制造的快速发展，碳化硅功率模块已成为下一代电力电子系统的核心。爱仕特SM8系列以“高性能+高集成+高可靠性”的全面优势，不仅解决了当前行业痛点，更为未来技术迭代提供了可靠基础。无论是新能源汽车的普及、光伏系统的升级，还是工业自动化的智能化转型，SM8系列都将成为不可或缺的“电力心脏”。
2025-09-15 09:01:14
919
原创 3300V/80A的SiC MOSFET产品介绍及应用
3300V80A的碳化硅MOSFET凭借其卓越的性能，正在高压、大功率的电能转换领域扮演越来越重要的角色。它在轨道交通、光伏储能、智能电网、工业驱动等领域的应用日益深入，其发展将受益于技术成熟、成本下降、国产化推进和产业链完善。
2025-09-14 18:45:51
1096
原创 MEK6封装三相全桥碳化硅模块在载人小型飞机电调系统的突破性应用
电调系统是推动载人小型飞机快速发展的重要引擎。随着技术的不断创新和市场需求的变化，未来的动力系统将更加高效、智能和环保。在这场科技革命中，谁能率先突破技术瓶颈，谁就能在低空经济的大潮中脱颖而出。未来，我们期待看到更多创新的低空飞行器动力解决方案，为城市交通带来全新的飞行体验。SiC MOSFET器件在航空航天领域具有广泛的应用前景，可以提高系统的性能和可靠性，同时也可以满足航空航天领域对高温、高压、高功率等特殊环境的要求。随着技术的不断发展，SiC MOSFET器件将会在航空航天领域中发挥越来越重要的作
2025-09-14 18:43:41
1168
原创 Easy封装的碳化硅（SiC）功率模块的产品介绍及应用
第三代半导体碳化硅的Easy封装（特别是Easy-2B）模块凭借低损耗、高集成、耐高温等优势，正在重塑电力电子系统设计范式。Easy封装的碳化硅模块通过提升系统效率、功率密度和降低系统综合成本，在光伏、电动汽车充电桩和储能系统等领域发挥着重要作用。未来，随着8英寸衬底量产、智能化集成技术成熟及国产替代加速，SiC 模块将从高端应用向工业、消费电子等主流市场渗透，成为 “双碳” 目标下能源革命的核心引擎。
2025-09-14 18:40:59
874
原创 HPD封装的碳化硅（SiC）功率模块的产品介绍及应用
HPD 封装的碳化硅模块凭借高功率密度、低损耗和高可靠性，已成为新能源汽车、储能、工业等领域的核心技术。随着技术迭代与国产化推进，其市场规模将持续扩大，应用场景不断拓展。未来，HPD 技术将与 8 英寸晶圆、嵌入式设计等创新深度融合，推动电力电子系统向高效化、小型化发展，助力全球 “双碳” 目标实现。
2025-09-12 10:50:35
1878
原创 DCM封装的碳化硅（SiC）功率模块的产品介绍及应用
DCS12模块是爱仕特推出的一款汽车级碳化硅功率半桥模块。是专为新能源汽车主驱逆变器应用设计的一款高功率密度的碳化硅功率模块，旨在缩小半导体器件使用尺寸的同时，提高逆变器功率密度、可靠性、耐用性以及寿命周期，给高速发展的新能源汽车注入动力。目前已广泛用于新能源乘用车、商用车等的电力驱动系统及燃料电池能源转换系统等。
2025-09-12 09:53:07
1362
原创 基于SiC与IGBT的驱动电路设计
1ED34x1Mc12M 驱动芯片具备5.7kV的电压等级和9A的电流能力，能够支持驱动650V、1200V、1700V、2300V 的IGBT、SiC和MOSFET等功率开关器件，绝对最大输出电源电压为40V，且具有多种保护措施，集成了输入、输出两个欠压锁定（under voltage lock out，UVLO）模块、退饱和保护控制和检测模块、有源钳位控制和检测模块以及输出控制模块。上述文献所设计的驱动电路大多只适用于单一类型的功率器件，市面上很少有适用于多种类型功率器件的通用型驱动。
2025-09-12 09:47:09
646
原创 11种封装的国产碳化硅(SiC)功率模块产品介绍
随着新能源汽车、光伏、储能、充电桩、智能电网等应用对系统效率的不断追求，对功率半导体需求高效化，碳化硅（SiC）器件应用领域也更加广泛。电压650V~1700V，电流30A~1000A的碳化硅（SiC)功率模块，在电动汽车、可再生能源发电等多个领域发挥着关键作用。
2025-08-23 11:04:15
386
原创 3300V碳化硅MOSFET国产化量产
3300V高耐压碳化硅MOSFET器件，将在轨道交通领域、智能电网、3300V的牵引变频器、特种军用车等大功率高端细分领域得到应用，对于显著提高系统效率及功率密度，为系统装置小型化、轻量化将发挥重要应用优势。
2024-05-10 14:00:31
1262
1
原创 SiC MOS器件在新能源汽车上的应用
以碳化硅为衬底制成的功率器件相比硅基功率器件，具有耐高压、耐高温、能量损耗低、功率密度高等优势，可实现功率模块小型化、轻量化。相同规格的碳化硅基 MOSFET 与硅基MOSFET 相比，其尺寸可大幅减小至原来的 1/10，导通电阻可至少降低至原来的 1/100。相同规格的碳化硅基 MOSFET 较硅基 IGBT 的总 能量损耗可大大降低 70%。
2024-05-06 12:04:58
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