碳化硅MOSFET：3300V/60A高压大电流助力特种电源

3300V、导通电阻为58mΩ、可支持60A电流的碳化硅MOSFET。更高的输出功率，使得基于爱仕特3300V/60A碳化硅MOSFET开发的应用系统具备更高的可靠性。目前，成功研制出3300V碳化硅MOSFET的国内碳化硅器件厂商仍是寥寥无几，据全网最新公开数据，爱仕特是国内首家实现量产3300V/60A碳化硅MOSFET的厂商。早在2018年，爱仕特已成功研制3300V碳化硅MOSFET样品，而此次3300V/60A碳化硅MOSFET的规模量产，充分体现了爱仕特在碳化硅功率器件领域过硬的正向研发实力，有助于打破国外碳化硅厂商的垄断，在高压大功率电力电子器件领域占领一席之地。相较于硅基IGBT，爱仕特3300V/60A碳化硅MOSFET可以构建更小型、更轻量、更经济的设计，能够更有效地转换能量，并且支持各种终端应用。

产品特点

 1. 高耐压能力

• 器件的耐压能力高达3300V，远超传统硅基MOSFET和IGBT的耐压水平（900V～1200V）

2. 低导通电阻