zhuang19891021的博客

驱动芯片的Ipk，MOSFET的开关参数测定电阻，栅极振荡，Id\Vds过冲，EMI,短路电流/Vds。上桥臂需浮地驱动电路、需考虑自举电路。过载保护、欠压锁定（UVLO）、短路保护、过温保护。16K 62.5us 开关时间300ns*2。驱动电压越高，导通电阻越小，但短路电流越大。栅极和源极之间添加一个下拉电阻。以防止弥勒效应产生的误导通。最小化驱动回路的环路面积。Vgs，Vds、Id波形。靠近MOSFET放置。驱动IC需低阻抗电源。测试短路保护等功能，

N沟道 P沟道。结型（JFET）、绝缘栅型（MOSFET）；MOSFET：耗尽型、增强型；平面栅（结构简单，可靠）、沟槽栅（Trench）（Rds-on小，电流密度高）开通阀值 60V及以下1~2V，100V及以上2~4V，弥勒平台电压5~7V；电容：输入电容、输出电容、反向传输电容（弥勒电容）；开通阀值电压、Qg、开关时间（开通延迟 上升 关断延迟 下降）；电压：Vds、Vgs；Tvj、封装、热阻、最大耗散功率。

驱动芯片的Ipk，IGBT的开关特性测定电阻，栅极振荡，Ic\Vce过冲，EMI（C.dV/dt）,短路电流/Vds。过载保护、欠压闭锁（UVLO）、短路保护、过温保护、最小脉冲抑制、死区、半桥互锁。驱动电压越高，导通电阻越小，但短路电流越大。8K 125us 开关时间750ns*2。以防止弥勒效应产生的误导通。栅极和源极之间添加一个下拉电阻。测试短路保护等功能，短路时的。Vce，Vge、Ic波形。靠近MOSFET放置。驱动IC需低阻抗电源。Ciss*100倍。

介绍IGBT的关键参数

电源相关问题《集锦》

详解MOSFET的开通及关断过程

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本文将介绍设计制作高频变压器的一些基础知识，包括：漆包线、屏蔽等，并会持续更新！

磁学三大定律的理解B：磁感应强度，别称是磁通密度H：磁场强度u0：真空中的磁导率 ur：导磁材料相对（真空）磁导率Um：磁动势 Φ：磁通法拉第电磁感应定律：磁生电，磁通的变化产生电压安倍环路定律：电生磁 ，当匝数与磁芯确定时，励磁电流正比于磁密>磁通 ，即电流的变化引起磁通的变化电~磁~电 磁路欧姆定律：磁阻，类比电阻；磁通，类比电流；磁动势，类比电动势***************...