台积电（TSMC）工艺库命名规则

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已于 2025-07-03 17:47:04 修改

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分类专栏： spyglass 功耗分析文章标签：硬件工程

于 2025-06-17 00:02:14 首次发布

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以标准单元库tcb_n12ffcll_bwp_6t_20_p96_cpd_lvt_tt0p8v25c_hm_lvf_p_ccs举例说明台积电工艺库命名规则。

文件名分段解析

字段	含义	补充说明
`tcb`	TSMC标准单元库（TCBN = TSMC Cell Library, Base Node）	通常用于标识基础标准单元库，区别于IO库（`tciobn`）或模拟库（`tcap`）。
`n12ffcll`	12nm FinFET工艺（FFCLL = FinFET Compact Low Leakage）	`ff`表示Fast-Fast工艺角（高性能），`cll`表示低泄漏（Compact Low Leakage），用于低功耗设计。
`bwp`	单元架构代码（Body-Biased Well-Pro