C语言

本文介绍了一个使用牛顿迭代法求解特定多项式方程实根的C语言程序。该程序针对形如ax³+bx²+cx+d=0的方程,通过迭代方法寻找x在1附近的实数解,直到满足精度要求|x-x0|≤10⁻⁵。

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编写用牛顿迭代法求方程根的函数.方程为ax3+bx2+cx+d=0,系数a,b,c,d由主函数输入.x1附近的一个实根.求出根后,由主函数输出.

   牛顿迭代法的公式是:x=x0-f(x0)/f`(x0 ),设迭代到|x-x0|<=10-5时结束.

 

代码 :

#include <stdio.h>
#include <math.h>
int main()
{
float a,b,c,d;
float fx,fd,x = 1.5,x0 = 0;

while(fabs(x - x0) >= 1e-5)
{
   x0 = x;
   fx = a*x0*x0*x0 + b*x0*x0 + c*x0 + d;
   fd = 3*a*x0*x0 + 2*b*x0 + c;
   x = x0 - fx/fd;
}  

printf(“解为%d\n”,x);  

    return 0;
}


资源下载链接为: https://pan.quark.cn/s/abbae039bf2a 无锡平芯微半导体科技有限公司生产的A1SHB三极管(全称PW2301A)是一款P沟道增强型MOSFET,具备低内阻、高重复雪崩耐受能力以及高效电源切换设计等优势。其技术规格如下:最大漏源电压(VDS)为-20V,最大连续漏极电流(ID)为-3A,可在此条件下稳定工作;栅源电压(VGS)最大为±12V,能承受正反向电压;脉冲漏极电流(IDM)可达-10A,适合处理短暂高电流脉冲;最大功率耗散(PD)为1W,可防止器件过热。A1SHB采用3引脚SOT23-3封装,小型化设计利于空间受限的应用场景。热特性方面,结到环境的热阻(RθJA)为125℃/W,即每增加1W功率损耗,结温上升125℃,提示设计电路时需考虑散热。 A1SHB的电气性能出色,开关特性优异。开关测试电路及波形图(图1、图2)展示了不同条件下的开关性能,包括开关上升时间(tr)、下降时间(tf)、开启时间(ton)和关闭时间(toff),这些参数对评估MOSFET在高频开关应用中的效率至关重要。图4呈现了漏极电流(ID)与漏源电压(VDS)的关系,图5描绘了输出特性曲线,反映不同栅源电压下漏极电流的变化。图6至图10进一步揭示性能特征:转移特性(图7)显示栅极电压(Vgs)对漏极电流的影响;漏源开态电阻(RDS(ON))随Vgs变化的曲线(图8、图9)展现不同控制电压下的阻抗;图10可能涉及电容特性,对开关操作的响应速度和稳定性有重要影响。 A1SHB三极管(PW2301A)是高性能P沟道MOSFET,适用于低内阻、高效率电源切换及其他多种应用。用户在设计电路时,需充分考虑其电气参数、封装尺寸及热管理,以确保器件的可靠性和长期稳定性。无锡平芯微半导体科技有限公司提供的技术支持和代理商服务,可为用户在产品选型和应用过程中提供有
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