减缓米勒效应的方法

原创 于 2025-11-05 11:01:37 发布 · 210 阅读 · 0 ·
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#有源米勒钳位 #米勒效应

上管IGBT(S1)在导通时，S1处于半桥拓扑，此时S1会产生一个变化的电压dV/dt，这个电压通过下管IGBT(S2)。电流流经S2的寄生米勒电容CCG、栅极电阻RG和内部驱动栅极电阻RDRIVER。这个产生的电流使门极电阻两端产生电压差，这个电压如果超过IGBT的门极驱动门限阈值，将导致寄生导通。
减缓米勒效应的方法：
①选择合适的门极驱动电阻RG
在这里插入图片描述

②在门极G和射极E之间增加电容
在这里插入图片描述

③采用负压驱动
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④门极有源钳位
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器件方面：
选择低米勒电容的器件
选择高阈值电压的器件
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电源设计--详细讲解MOS管的米勒效应
06-24 1223
MOS管的米勒效应是指在开关过程中，由于栅漏电容Cgd的充放电作用导致栅源电压Vgs出现平台期现象。其形成机理是：MOSFET导通时，Vds下降通过Cgd产生反馈电流，延缓Vgs上升，使器件长时间处于放大区，增加开关损耗。米勒平台可通过示波器观察到Vgs曲线的平缓段。应对措施包括：选用低Cgd的MOS管、优化栅极驱动电路、采用图腾柱驱动、添加负压关断等。公式表明，开关时间与栅极电荷成正比，平台电压由阈值电压和跨导决定。合理设计可减轻米勒效应，但无法完全消除。
MOS管高频电源应用概述：等效模型/米勒振荡/应对策略/选型要点
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米勒电容和米勒效应
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之前我们在介绍MOS和IGBT的文章中也有提到米勒电容和米勒效应的概念，在IGBT的导通过程分析的文章中我们也简单提到过米勒平台，下面我们来详细地聊一聊。 米勒电容： 上图是我们之前在讲MOS和IGBT的输入电容，输出电容和米勒电容的概念时看到过，下面是对应的公式： Ciss= CGE+ CGC输入电容 Coss= CGC+ CEC输出电容 Crss= CGC 米勒电容 ...
MOSFET导通、关断过程详细分析、损耗分析、米勒效应、datasheet解释
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一，MOSFET导通、关断过程详细分析（转）详见下 https://zhuanlan.zhihu.com/p/161092380 二，弄懂mosfet的导通过程和损耗分析 详见下 http://www.360doc.com/content/20/0805/00/36242867_928563929.shtml 三、MOSFET datasheet 的数据解释 https://mp.weixin.qq.com/s?__biz=MzA4NzU5MTIzNg==&mid=2457589995&.
【转】MOS管应用概述(三):米勒振荡的应对
qq_42863248的博客
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u013024788的博客
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《静态时序分析实用方法》翻译
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第1章 引言 解释了什么是静态时序分析以及它如何用于时序验证。还描述了功率和可靠性方面的考虑。 概述了纳米设计的静态时序分析程序。本章解决了诸如什么是静态时序分析、噪声和串扰的影响是什么、如何使用这些分析以及这些分析适用于整个设计过程的哪个阶段等问题。 1.1纳米设计 在半导体器件中，金属互连迹线通常用于在电路的各个部分之间建立连接以实现设计。随着工艺技术的缩小，众所周知，这些互连走线会影响设计的性能。对于深亚微米或纳米工艺技术，互连中的耦合会引起噪声...
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栅极驱动电路避坑指南：3步彻底解决米勒效应导致的误开通问题
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