器件建模学习4-材料测试

一直以来，我不太明白半导体物理学和器件建模之间的关系。打开半导体物理，发现其中很多在器件建模中需要测试然后计算出来的量，在半导体物理中居然是默认可以测试的。比如说，载流子的迁移率和温度的关系。

今天才发现，其实是我研究的方向不同，导致理解上出现误差。

在建模测试中，普遍是通过网表来对器件内部的效应进行表征的，也就是说是通过电学性能，从中抽取出材料参数。故而，需要将寄生内容全部去除，防止影响到芯片的建模。

但是在半导体物理中，实际上很多材料是能够通过一些仪器，比如拉曼光谱仪器等等。

由这些可以测试的材料参数导入的公式，可以得到更多精确的参数关系，并且可以用来和器件建模的内容进行对比。

另外，部分参量其实是可以通过控制工艺量来进行开发，比如说掺杂浓度。

准确来说，所有的参数其实可以分类如下：

1.设计   控制参数：器件尺寸   器件运行温度  过程参数：beta  目标参数：效率/功率/增益/寿命等

2.工艺   控制参数：器件尺寸   参入浓度  参杂温度 过程参数：电阻率等  目标参数：beta/电阻率等

3.材料和材料测试  控制参数：载流子迁移率   温度   压力  目标参数：材料性能参数

4.建模测试    控制参数：尺寸     温度    目标参数：IV  CV S参数  等

5.建模    抽取参数：IS Ｎ等　　过程：器件网表表征　　目标：和测试数据对上

不同门类，可以知道的用来进行设计的参数门类不同，不能一概而论，什么公式都能拿来用，部分可能需要进行推导，部分可能要进行简化。