氮化镓（GaN）功率半导体之预测

前言

氮化镓（GaN）是一种非常坚硬且在机械方面非常稳定的宽带隙半导体材料。由于具有更高的击穿强度、更快的开关速度，更高的热导率和更低的导通电阻，氮化镓基功率器件明显比硅基器件更优越。

氮化镓晶体可以在各种衬底上生长，包括蓝宝石、碳化硅（SiC）和硅（Si）。在硅上生长氮化镓（GaN）外延层可以使用现有的硅制造基础设施，从而无需使用高成本的特定生产设施，而且以低成本采用大直径的硅晶片。

GaN power semiconductor 2023 predictions一文有所论述，2023年对氮化镓（GaN）系统的预测，囊括了功率半导体的供应链对数据中心和新能源汽车与日俱增的可持续性监管。该文表示我们正处于功率氮化镓（GaN）技术的转折点，随着电动化大趋势的到来和越来越多的包含半导体产品的出现，经济的赢家和输家主要取决于那些能够更好管理其供应链的人，这些供应链不仅能够为企业和消费者生产现有产品，还能在不久的将来点燃创新之火。

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