集成电路技术:从标准件到定制化的全面解析
1. 微电子技术的发展历程
微电子技术的发展历程堪称一部技术革新的传奇。自 1948 年第一只晶体管诞生,它便开启了微电子时代的大门。早期,锗晶体管凭借其较高的载流子迁移率,在高频性能上具有一定优势,但由于其温度特性不佳以及难以保护关键的晶体管边界,逐渐被硅技术所取代。
硅技术的崛起得益于平面制造工艺的发展,这种工艺使得所有制造步骤都能在硅片的一个表面上进行,二氧化硅不仅能保护冶金结,还能在需要的区域提供良好的隔离。从 1960 年代开始,硅技术经历了从小规模集成(SSI)到中规模集成(MSI)、大规模集成(LSI),再到如今的超大规模集成(VLSI)和特大规模集成(ULSI)的飞速发展。
在这个过程中,芯片复杂度不断提升,电路性能也得到了极大改善。例如,运算放大器和微处理器的发展就是这一演变的典型代表。同时,芯片尺寸不断增大,特征尺寸不断减小,使得单个芯片上能够集成超过 107 个晶体管。
在技术发展的同时,计算机辅助设计(CAD)也在不断进步。早期的芯片布局设计需要手工在大型绘图板上进行,效率低下且容易出错。随着计算机技术的发展,CAD 工具逐渐出现,从最初的图形机器到如今的工作站和个人计算机,CAD 软件的功能也越来越强大,能够实现从电路设计、仿真到布局设计、测试向量生成等一系列设计阶段的集成。
2. 半导体技术分类
半导体技术主要分为双极型和单极型(MOS)技术。
2.1 双极型硅技术
双极型技术涉及空穴和电子的流动,主要器件包括电阻、二极管和 pnp 或 npn 结型晶体管。其基本制造工艺是平面工艺,通过扩散或注入掺杂硅区
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