78、16nm技术下CMOS逆变器漏电流降低与动脉粥样硬化斑块分割的研究

wine

于 2025-08-29 09:26:52 发布

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分类专栏：智能控制与机器人前沿文章标签： 16nm CMOS 漏电流降低睡眠晶体管

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在半导体技术不断发展的过程中，CMOS逆变器的功耗问题一直备受关注。随着技术节点缩小到纳米级别，如45nm、32nm、22nm和16nm，虽然开关功率、短路功率和总功耗有所降低，但漏电流却显著增加。

不同技术节点的功耗变化
- 随着技术缩小到纳米范围，开关功率、短路功率和总功耗降低，但漏电流增加。
漏电流降低技术比较
- 研究对比了lector、ONOFIC、双堆叠、睡眠保持器和睡眠晶体管等技术。
- 结果表明，睡眠晶体管技术在最小化漏电流方面最为有效。与睡眠晶体管技术相比，lector、ONOFIC、双堆叠和睡眠保持器技术的漏电流功耗分别高出151倍、156倍、2.91倍和1.2倍。