文章介绍了电容器的“介质吸收效应”，该效应会使充电后短路再开路的电容器两端出现残留电压，其指标用残留电压与充电电压百分比表示。不同类型电容器介质吸收效应不同，还指出有此效应的电容器用作采样电容会造成精度损失。
经常能在老外的比较有分量的板子上看到薄膜电容器，今天读了一篇文章，才如梦方醒。
原来电容器还有个“介质吸收效应”，使得电容器的模型如下：
其中Rde和Cde就是由于介质吸收效应引起的。介质吸收效应的问题就在于，当电容器充电后，将其两端短路，一段时间后再开路，电容器两端还会有一个残留电压，该效应的指标一般使用残留电压同充电电压的百分比表示的。
对于陶瓷电容器和聚碳酸酯电容器，介质吸收效应在0.2%左右，好的聚苯乙烯电容器残留效应可以达到0.002%。云母电容器和钽电容的介质吸收效应更高在1%到5%。
一个介质吸收效应为0.2%的电容器，如果用作采样保持器的采样电容，即使后面是一个8bit的ADC，也会有近2LSB的精度损失。（1/255 = 0.39%）
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