PMOS管学习应用

最新推荐文章于 2025-01-20 17:19:47 发布
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本文链接：https://blog.youkuaiyun.com/wang_xuehen/article/details/7895301
本文介绍了在电源切换系统中，由于对压降和漏电流的严格要求，选择了P沟道MOS管IRF9540N作为电子开关。通过分析P沟道MOS管的工作特性曲线，强调了Vgs阈值对于导通和截止的重要性，并发现IRF9540N在4V以下电源电压下无法有效截止，从而不适合该系统。同时附上了电子开关的电路图。

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    首先对自己的应用背景做一下说明，我做的一套系统中电源供电部分需要两块电池切换供电，所以要做一个电子开关，这个开关的耗电要尽量低。一般用到的电子开关可以选择三极管，但是三极管的压降和漏电流是系统所不能接受的。所以就要用到MOS管，其导通压降较小，一般在豪伏级别，导通电阻在百毫欧级别(例如117毫欧)，这样开关在开启后压降不会太大，关闭时漏电不会太大，满足应用。

    模电学的不是很好，MOS管的知识基本上也已经还给老师了。只能从网上搜资料，重新看一下。我实验用的管子是

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wang_xuehen
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pmos管的应用_【知识】MOS管的分类、区分和寄生二极管
weixin_29672983的博客
01-24 1056
在之前的文章《【知识】三极管和MOS管驱动电路的正确用法》和《揭开mos管损坏之谜，看完觉得太值了！》中，小编有介绍MOS管驱动电路的正确用法以及损坏的类型原因等内容，今天转载这篇文章来详细地介绍一下MOS管的分类、区分和寄生二极管的内容。一、分类场效应管分为结型(JFET)和金属-氧化物-半导体型(MOSFET)两种类型，MOSFET应用广泛，结型管(JFET)几乎不用，MOSFET一...
pmos管的应用_PMOS和NMOS的区分方法52
weixin_36214783的博客
01-24 5758
MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET)，可以被分成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。 MOS管的管脚有三个：源极S(Source)、栅极G(Gate)和漏极(Drain)，但是实际工程应用中，经常无法区分PMOS管和NMOS管、各管脚的位置以及它们各自导...
3、应用PMOS断电注意事项
m0_68825965的博客
12-03 2791
使用PMOS管做开关管断电
PMOS管的学习应用-经典
08-18
首先对自己的应用背景做一下说明，我做的一套系统中电源供电部分需要两块电池切换供电，所以要做一个电子开关，这个开关的耗电要尽量低。一般用到的电子开关可以选择三极管，但是三极管的压降和漏电流是系统所不能接受的。
PMOS管的简单应用
DXPhelp的博客
07-23 6336
PMOS管的简单应用应用原理介绍寄生参数选型应用防反接电路高端驱动 应用 相比于NMOS，PMOS应用较少，主要原因有导通电阻大于NMOS导通电阻，型号少，价格贵等，但在一些特殊的场合也有应用。 原理介绍 PMOS全称是P型金属氧化物半导体(positive channel Metal Oxide Semiconductor)，MOSFET为压控型器件。当电压Vgs低于阈值Vth时，PMOS在场强的作用下导通，当Vgs高于Vth时，内部沟道截止。导通时，电流的方向是可以从D到S，从S到D也可。 由于PMO
PMOS 应用电路
u010783226的专栏
03-02 4875
PMOS 应用
PMOS管衬底选择电路.zip
08-21
标题中的“PMOS管衬底选择电路”是一个与半导体集成电路设计相关的主题，主要涉及PMOS（P型金属氧化物半导体场效应晶体管）的工作原理、衬底选择的重要性以及如何在电路设计中应用这些知识。PMOS管是数字逻辑电路和...
驱动篇 -- PMOS管应用
硬件家园
02-03 1万+
驱动篇 – PMOS管应用 感谢阅读本文，在接下来很长的一段时间里，我将陆续分享项目实战经验。从电源、单片机、晶体管、驱动电路、显示电路、有线通讯、无线通信、传感器、原理图设计、PCB设计、软件设计、上位机等，给新手综合学习的平台，给老司机交流的平台。所有文章来源于项目实战，属于原创。 一、原理介绍 如上图，PMOS管是压控型器件，Vgs大于开启电压时，内部沟道在场强的作用下导通，Vgs小于开启...
数字电路设计必看：NMOS与PMOS晶体管的应用及优势
本文综合介绍了数字电路设计中的基础元件NMOS和PMOS晶体管的特性、工作原理及其在数字电路和CMOS技术中的应用。深入分析了NMOS和PMOS晶体管的结构与电流-电压关系，探讨了它们在开关、逻辑门电路及CMOS反相器中的...
mos管电路_「硬件电路」N沟道、P沟道MOS管基本原理与应用案例
weixin_39768247的博客
12-05 2000
一、N-MOS管和P-MOS管的对比二、N-MOS的开关条件N-MOS管的导通调节是G极与S极中间的电压差超过阈值时，D极和S极导通。在实际的使用中，将控制信号接到G极，S极接在GND，从而达到控制N-MOS管的开和关的效果，在D极和S极导通后，导通电阻Rds(on)极小，一般是几十毫欧级，电流流通后，形成的压降很小。三、N-MOS的应用3.1 防止电源接反的保护电路下面就是一个应用这个特性做的一...
PMOS管典型电路
09-03
PMOS管典型电路，以及PMOS和NMOS电路的对比。
电子工程师日常-PMOS选型
z19997626的博客
06-20 4011
PMOS的工作原理，PMOS选型注意事项，PMOS在开关电路中的应用
pmos低电平驱动_驱动篇 -PMOS管应用
weixin_39889337的博客
12-22 2074
驱动篇 - PMOS管应用一、原理介绍如上图，PMOS管是压控型器件，|Vgs|电压大于|Vth|电压时，内部沟道在场强的作用下导通，|Vgs|电压小于|Vth|电压时，内部沟道截止;|Vgs|电压越高，内部场强越大，导通程度越高，导通电阻Ron越小,注意，|Vgs|电压不能超过芯片允许的极限电压说明：PMOS管一般作为高端驱动器件，源级S接电源正极。二、寄生参数1、寄生二极管使用时，要特别注意内...
MOS 管 场效应管 应用
优快云博客
08-11 3585
MOS管在硬件设计中经常使用到，下面是N型MOS管，包括栅极G，源极S，漏级D。 P型的MOS管的电路符号如下： MOS管和三极管类似，只不过MOS管是压控压型（电压控制），而三极管是流控流型（电流控制）。 至于MOS管的使用，N型与P型存在区别，对于应用，我们只需要知道： 1、对于N型MOS管，若G的电压比S处高（G、S间存在压差，具体电平看具体MOS管），D、S（电压方向D指向S）之间就会导通，此时D、S间相当于一个很小的电阻，若G、S之间为低（具体电平看具体MOS管），D、S之...
PMOS管的导通条件
weixin_47349306的博客
01-20 6192
PMOS管（P型金属氧化物半导体场效应晶体管）的导通条件主要与其栅极（Gate）、源极（Source）和漏极（Drain）之间的电压关系有关。
MOS管导通条件
qq_41069421的博客
01-09 3万+
PMOS增强型管：uG-uS<0 , 且 |uG-uS|>|uGS(th)| ， uGS|th|是开启电压； NMOS增强型管：uG-uS>0，且 |uG-uS|>|uGS(th)| ，uGS|th|是开启电压； PMOS导通是在G和S之间加G负S正电压。NMOS相反。 比如AOD409是一款P型MOS管，详细资料可以在alldatasheet里下载芯片资料。其中uGS=...
PMOS和NMOS
m0_66746512的博客
05-12 3671
又根据场效应原理的不同，分为（当栅压为零时有较大漏极电流）和（当栅压为零，漏极电流也为零，必须再加一定的栅压之后才有漏极电流，VGS>VGS(th)的时候才会导通）两种。因此，MOS管可以被制构成P沟道增强型、P沟道耗尽型、N沟道增强型、N沟道耗尽型4种类型产品。
PMOS——用于电源开关浅析
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霁风AI
04-15 4万+
前言： 为了方便查看博客，特意申请了一个公众号，附上二维码，有兴趣的朋友可以关注，和我一起讨论学习，一起享受技术，一起成长。 1. 简介 在网上查了一些关于 PMOS 和 NMOS 哪个更适合用于电源开关这种场合，大部分都是从工艺，导通电阻 Rds 来解释，但随着半导体工艺的进步，现今的 PMOS 与 NMOS 之间差距已经不大了，从 SOT-23 的封装来看，两者的大小也是差不多的。个人觉得...
NMOS和PMOS
m0_61973119的博客
11-29 8652
1） mos管的三个极分别是：G（栅极），D（漏极），S（源极），要求栅极和源极之间电压大于某一特定值，漏极和原籍才能导通。2）如何判断是nmos管还是pmos管？N沟道箭头向里，P沟道箭头向外3）如何判断哪一端是S极和D极？两根线连接在一起的一端是S端4）寄生二极管方向画法？中间衬底箭头方向和寄生二级管的箭头方向总是一致的。
pmos管导通条件
最新发布
03-08
<think>嗯，用户想了解PMOS管的导通条件。根据提供的引用资料，我需要先整理PMOS导通的基本条件。首先，PMOS的栅极电压需要低于源极电压，具体来说，栅源电压V_GS必须小于阈值电压V_th，而V_th本身是负值。这可能有点反直觉，因为PMOS是P型器件，所以电压关系与NMOS相反。 然后，我需要解释各个电极之间的电压关系，比如源极S的电压通常高于漏极D，这样导通时电流方向是从源极到漏极。还要提到体二极管的作用，当V_GS未达到导通条件时，体二极管可能导通，这在某些应用中需要注意。 接下来，可能需要对比NMOS和PMOS的导通条件，帮助用户理解两者的区别。例如，NMOS的V_GS需要大于阈值电压，而PMOS则需要更低的电压。此外，PMOS的导通电阻通常较高，所以应用场景可能不同，比如在开关电源中常用PMOS作为高端开关。 用户可能还想知道实际应用中的注意事项，比如如何选择合适的阈值电压，或者驱动电路的设计。根据引用[3]，MOSFET的导通过程涉及栅极电荷的积累，所以可能需要考虑栅极驱动电流和电压的上升时间。 另外，引用[4]提到PMOS的结构对称性，源极和漏极可以互换，但实际应用中由于衬底连接的关系，通常源极接高电压，漏极接低电压。这一点需要澄清，避免用户混淆。 最后，生成相关问题时要覆盖导通条件、电压关系、体二极管作用、与NMOS的区别以及应用场景，这样用户可以有进一步的学习方向。</think>### PMOS晶体管导通条件详解 #### 一、基本导通条件 PMOS管的导通主要取决于栅极（G）、源极（S）、漏极（D）之间的电压关系： 1. **栅源电压条件**：栅极电压需低于源极电压，即满足$V_{GS} < V_{th}$，其中阈值电压$V_{th}$为**负值**（典型值范围$-1\text{V} \sim -3\text{V}$）。例如，若$V_{th} = -2\text{V}$，则$V_{GS}$需小于$-2\text{V}$才能导通[^1]。 2. **源漏电压方向**：源极（S）电位需高于漏极（D），导通时电流方向为$S \rightarrow D$[^4]。 #### 二、导通状态分析 | 参数 | 导通条件 | 典型值示例 | |-----------|----------------------------|------------------| | $V_{GS}$ | $V_G - V_S < V_{th}$ | $V_G = 0\text{V}$, $V_S = 5\text{V}$, $V_{th} = -2\text{V}$ → $V_{GS} = -5\text{V}$ | | $V_{DS}$ | $V_D < V_S$ | $V_S = 5\text{V}$, $V_D = 3\text{V}$ | | 体二极管 | $V_S - V_D > 0.7\text{V}$ | 未导通时反向导通 | #### 三、与NMOS的对比 | 类型 | 导通条件 | 电流方向 | 导通电阻 | 应用场景 | |--------|------------------------|---------------|----------|----------------| | PMOS | $V_{GS} < V_{th}$ (负) | $S \rightarrow D$ | 较高 | 高端开关、电源 | | NMOS | $V_{GS} > V_{th}$ (正) | $D \rightarrow S$ | 较低 | 低端开关、逻辑电路[^2] | #### 四、关键注意事项 1. **体二极管作用**：当$V_{GS}$未满足导通条件时，若$V_S > V_D + 0.7\text{V}$，体二极管会先导通。 2. **驱动电路设计**：PMOS需负压驱动，常通过电平转换电路实现，例如使用NPN三极管反相驱动。 3. **导通压降**：导通电阻$R_{DS(on)}$会导致$V_{DS} = I_D \cdot R_{DS(on)}$，需根据负载电流选择合适器件[^3]。 #### 五、典型应用示例 在电源切换电路中，PMOS常作为高端开关： ``` VCC │ PMOS (S) │ GATE──┐ │ ├─┤ └─电阻到地 │ 负载 ``` 当GATE为低电平时，$V_{GS} = 0 - VCC < V_{th}$，PMOS导通。
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