weixin_52958292的博客

结型场效应管的输入电阻（Rds）没有绝缘栅型高。（N沟道）P沟道就是相反的，Ugs不能小于0，目的都是为了不让PN结导通。好处：不容易坏。绝缘栅的容易损坏，因为那层二氧化硅特别薄，所以特别小的感应电流都可以击穿它。有一点点电荷都可以形成较高电压，形成电场，将其击穿。因此两者不存在谁替代谁。

Mos管的出现，几乎不怎么耗电。因此在集成电路中起了非常大的作用在某些方面确实比晶体三极管强。基本原理：依靠电场效应来控制。电场效应几乎是没有电流的，没有电流几乎是没有功率的。从控制上来说，消耗的功率特别小。输入电阻非常高。场效应管不和三极管一样，有双极，受温度影响大。它只有多子的存在，因此受温度影响小。

首先要明确输入特性曲线描述的是UBE和IB的关系，基极电流b是由发射极扩散到基极的电子与空穴复合形成的。然后你要想UCE的作用是把发射极的电子吸到集电极去(>0的话是反向电压，才有这个作用)，那UCE越大，抢的电子越多，基极和空穴复合的电子应该就越少，也就是越小，回看输入特性曲线，同一个UBE的情况下，UCE越大，IB越小，符合这一点。到最后UCE大于V的时候，能把绝大部分的电子都弄走了，极少部分还是在基极与空穴复合，形成IB,UCE再大你晶体管内半导体掺杂浓度就那样，电子都是有限的，所以就重合为一条曲

如果还不明白，为什么成比例：那我重新说一遍，因为基区的空穴基本上都是IB提供的，所以当基区自己的空穴没了以后（通过扩散或者复合），此时基区空穴产生的速度由IB决定，那么IB就和IC成比例了。在扩散的速度是不变的条件下，复合的比例是固定的，要让自由电子快速经过基区到达集电区以后，快速被移走，否则会聚集；自由电子到基区了，基区本来自由电子是少子，但是扩散的非平衡少子比它原来的多子还要多。发射区的自由电子向基区扩散，基区中的多子（扩散）向发射区扩散。（发射区的掺杂浓度远远大于基区），产生的电流。

下图红点标记位置：可以计算出这里得直流电阻这里的斜率就近似于于交流电流根据id的变化量比上ud的变化量，就是求这段曲线的斜率。也就是求导动态电阻rd（二极管的阻值）的阻值和两个量有关：温度和静态电流，它是由Q U T共同影响的一个量总结一下：就是对图中的伏安特性曲线进行求导，进行斜率的计算，得出结果：斜率和UT和ID有关，斜率对应的就是动态电阻的阻值。那么如何分析一个二极管上面交流的响应呢？必须分两步走.①首先要看二极管工作在怎么样的直流环境下（也就是直流的大小）；直流决定后面交流的响应；②分析交流电路要分

关于二极管的伏安特性曲线，正向，反向均可以应用。如何使用二极管？二极管的参数有哪些？

当加正向电压，电压越大，N区跑到P区的自由电子（多子）越多，而在跑到P区的N区的自由电子大多和P区的空穴结合，因此剩下这些自由电子又被称为非平衡少子。当PN结被导通，N区的多子跑到P区变成非平衡少子。非平衡少子的浓度和电压相关。正向电压越大，非平衡少子越多。换句话说，电压越大，这里聚集的自由电子越多，空穴越多，电荷量的大小也随之增大。因此在扩散效应下，也能等效为一个电容。这个电容就叫做扩散电容。从图中可以看出，电压增大，p区少子浓度由1到2，电压减小，p区少子浓度由1到3坐标的y轴，代表耗尽层。

从图中可以看出：由于N区的自由电子多，P区的空穴多，因此原子都会从浓度高向浓度低的地方扩散。当加入的是反向电压时，结合正向电压的理解，会发现空间电荷区的电场作用更强了，扩散运动更难进行，所以电流很小，已经不导电了，但是空间电荷区的电场的增大，会使得漂移运动加剧，产生微小电流，但最终还是忽略不计。：在进行扩散运动之前，N区和P区的浓度相同得到时候，最终形成的空间电荷区两边的宽度是一样的，就是对称结，当N区和P区两边的浓度不一样的时候，浓度高得那边PN结窄，浓度低得那边PN结宽。P区接正极，N区接负极。