SRAM与DRAM

一、RSM随机存储器

        存储单元的内容可以按需随机存入取出，并且存取速度和数据所在位置无关。断电时信息自动删除（易失性）。分为SRAM和DRAM。

二、SRAM：静态随机存储器

        SRAM用双稳态触发器来记忆信息，即一个存储单元存储一位信息，0或1。静态存储单元保存的信息比较稳定，其结构简单，可靠性高，速度较快；信息被读取以后仍然保持原有信息，但是其占用原件较多，占硅片面积大，功耗大，集成度不高。通常被用来做高速缓冲寄存器。

三、DRAM：动态随机存储器

        DRAM靠电容存储电荷的原理来寄存信息，电容上有足够的电荷表示1，电容上无电荷表示0。与SRAM相比，DRAM集成度更高，功耗低，价钱便宜；但是读出是破坏性的，即使不被读出，由于电容会漏电，电容上的电荷一般只能维持1到2毫秒，因此即使电源不掉电，电容上的电荷会自动消失，为保证信息的不丢失，必须在二毫秒之内就要对存储单元进行一次恢复操作，这个过程称为再生或者刷新。DRAM通常用于主存储器。

四、DRAM刷新：只与行地址有关

如对于一个具有1024个数据单元(32×32)，存取周期为0.5μs的不同刷新方案。

1、集中刷新

在允许的最大刷新间隔内，按照存储芯片容量的大小集中安排，若干个刷新周期，刷新时停止读写操作。