PN结

本文总结了PN结的工作状态,包括正向偏置时的导通和反向偏置时的截止,以及PN结的电流方程。还详细解释了PN结的电容效应,包括势垒电容CB和扩散电容CD,强调了扩散电容在PN结正偏时的角色。

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一直不太能理解PN结问题,今天学习了来做一做总结。

PN结正向偏置:低阻状态,导通状态
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PN结反向偏置:高阻态,近似于截止状态
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PN结电流方程:
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UT:等效电压——>KT/q
Is:反向饱和电流
阳极为P区,阴极为N区
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PN结的电容效应 :
(1) 势垒电容CB :(耗尽层宽窄变化)(反偏)
(2) 扩散电容CD
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扩散电容是由多子扩散后,在PN结的另一侧面积累而形成的。因PN结正偏时,由N区扩散到P区的电子,与外电源提供的空穴相复合,形成正向电流。反之,由P区扩散到N区的空穴,在N区内也形成类似的浓度梯度分布曲线。

当外加正向电压不同时,扩散电流即外电路电流的大小也就不同。所以PN结两侧堆积的多子的浓度梯度分布也不同,这就相当电容的充放电过程。势垒电容和扩散电容均是非线性电容
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