6.气泵控制原理---单双向可控硅控制原理、斩波电路、项目举例说明

最近在项目开发中,涉及到气泵的相关控制,在这里进行比较系统的学习。对交直流气泵区别进行一个说明 ,同时了解一下单向和双向可控硅,最后根据项目实例进行了解。因为个人比较偏软件,有什么不对的地方欢迎指正。

一交流泵和直流泵

1电源类型

<1>交流泵(AC泵)
使用交流电源(AC),通常是家庭或工业电网提供的电压(如220V AC或110V AC)。交流电压的方向会周期性地改变,泵的电机也会随之变化方向和速度(对于感应电机,电流与电压同步变化)。
<2>直流泵(DC泵)
使用直流电源(DC),通常是电池、太阳能或直流电源适配器提供的电压(如12V、24V DC)。
直流电源的电流方向是固定的,因此电动机也会按固定方向转动。

2总结

在这里插入图片描述

二单向和双向可控硅

在项目中交流泵的控制用到了双向可控硅对交流电进行斩波,因此先了解一下单双向可控硅的原理

1触发原理

下图中为一个单向可控硅2P4M,K是负极、A是正极、G栅极。
如果S1不闭合可控硅是截止的,当S1闭合在断开后,可控硅导通,右侧电路开始工作。想要工作结束,只能将12V电源断开或者将可控硅的A和K引脚短路。根据这个可以知道单向可控硅的工作原理以及触发方式。
在这里插入图片描述

2双向可控硅以及四象限触发

<1>经典双向可控硅举例
BTA08-600C 可以通过8A的电流,双向电压耐压600V。
在这里插入图片描述在这里插入图片描述
<2>双向可控硅四象限触发实验
(1)看横坐标会发现第一、四象限中的G脚相对于A1为正电压(G连接了电源正极,A1连接了电源负极),第二、三象限正相反。
(2)看纵坐标会发现第一、二象限中的A2引脚相对于A1为正电压(A2连接了电源正极,A1连接了电源正极),第三、四象限正相反。
在这里插入图片描述
在第二、第三象限触发会比较稳定,当在第一、第四象限触发的时候会没有那么稳定。
一般称为触发不彻底。
<3>双向可控硅工作举例说明
当5V闭合在断开后,可控硅导通,X1点亮,当V2停止供电以及可控硅A1、A2短路时,可控硅截止,电路不在导通。
在这里插入图片描述

三交流泵实例

下图为项目中气泵控制的相关电路
在这里插入图片描述

1上图为可控硅斩波控制电路

<1>右侧BENG引脚连接单片机PWM输出引脚
为高电平时,右侧导通,左侧实现斩波功能,斩波后产生的信号控制气泵工作。
<2>左侧从上到下分别为交流220V以及控制气泵引脚
2斩波
<1>原理:通过改变控制信号一个周期内高低电平的占空比对市电进行斩波。需要注意的是控制信号的周期必须为100Hz。斩波时序如下:
在这里插入图片描述
<2>交流220V50Hz未斩波前的信号交流220V50Hz未斩波前的信号
在这里插入图片描述
<3>斩波后的信号,这就是最终输入给气泵的信号
在这里插入图片描述
<4>对原理在进行从头到尾的解释
首先右侧的Beng是单片机的引脚,当为高电平时,光耦导通,相当于双向可控硅的栅极导通,这样双向可控硅就开始进行斩波工作。
双向可控硅的控制理解为,一方面光耦导通,进行斩波。一方面为过零停止工作。也就是说光耦不导通不工作,光耦导通工作,遇到过零点就停止工作。
通过对原理的说明结合上面的图就可以搞明白为什么最终的波形输出是这样的。

四项目说明

本次开发的项目因为没有调档的需求,因此将Beng引脚一直处于高电平就可以了,相当于原始信号百分百使用了,应该是可以这样理解。如果设备需要调档,那么一方面需要调 PWM波,一方面还需要过零检测很多时候,因为信号的相位会发生偏移,这些内容在后续学习中遇到在做修改,因为工作方向偏软件,有什么不对的地方欢迎指点。

<think>好的,我现在需要回答用户关于如何使用双向可控硅控制电机的问题。根据用户提供的引用资料,我需要先整理相关信息,并结合自己的知识来构建一个清晰的回答。 首先,用户提供了三个引用内容。引用[1]提到双向可控硅在家电中的应用,如控温和控速。引用[2]解释了向和双向可控硅的基本工作原理,特别是触发方式。引用[3]则详细说明了如何用双向可控硅控制相交流电机的正反转,包括电路设计和注意事项。 用户的问题是如何使用双向可控硅来控制电机电路,所以需要重点参考引用[3]的内容,并结合引用[2]中的触发原理。接下来,我需要分步骤说明实现方法,包括电路结构、触发方式、保护措施等,并确保符合系统级指令中的要求,如正确使用LaTeX格式和引用标识。 首先,电路结构方面,引用[3]提到使用两个双向可控硅代替刀双掷开关,交替导通以实现电机正反转。需要画出等效电路,说明每个可控硅的连接位置。同时,触发信号需要由片机控制,确保两个可控硅不会同时导通,否则可能导致短路。 其次,触发方式方面,引用[2]提到双向可控硅的触发需要栅极信号,可能涉及不同的触发象限。需要解释如何生成合适的触发脉冲,并注意触发电流和电压的参数设置,确保可靠导通。 然后,保护措施是关键。引用[3]强调了吸收电路和压敏电阻的重要性,以抑制电压尖峰。需要详细说明RC缓冲电路的设计,比如电容和电阻的选型,以及压敏电阻的参数选择,确保其电压低于可控硅的耐压值。 另外,散热问题也需要考虑,因为可控硅在导通时会有功率损耗,必须安装散热片或采取其他散热措施,防止过热损坏。 最后,代码示例部分,用户可能期望看到如何通过片机控制触发信号,所以需要提供一个简的代码框架,比如使用GPIO控制两个可控硅的交替触发,并加入延时以确保安全。 在整理这些信息时,需要确保术语正确,比如“四象限触发”可能涉及不同的触发模式,但用户可能不需要深入细节,所以可以简要提及。同时,注意引用标识的正确添加,例如在提到保护措施时引用[3]。 可能遇到的问题包括如何确保触发信号的同步,避免两个可控硅同时导通,这可能需要硬件互锁或软件延时。此外,吸收电路的设计参数需要根据具体应用调整,可能需要实际测试。 总结来说,回答的结构应包括:电路设计、触发控制、保护措施、散热处理、代码示例和相关问题。每个部分需引用对应的资料,并确保LaTeX格式正确,如使用$V_{DRM}$表示断态重复峰值电压。</think>### 双向可控硅控制电机的实现方法 #### 1. 电路结构设计 双向可控硅控制相交流电机正反转的核心是通过两个双向可控硅(TRIAC)替代机械开关,形成两条独立的导通路径。以下为典型电路结构: - **主电路**:相交流电源通过两个双向可控硅$T_1$、$T_2$分别连接电机的不同绕组,改变电容$C$的串联位置以实现正反转[^3]。 - **触发电路**:使用片机(如STM32、Arduino)的GPIO输出触发脉冲,控制$T_1$和$T_2$的交替导通,避免同时导通导致短路[^3]。 #### 2. 触发控制逻辑 - **触发信号要求**:双向可控硅需在交流电压的正负半周均能被触发。以四象限触发为例,需保证栅极电流$I_G$和电压$V_{GT}$满足器件规格[^2]。 - **时序控制**:片机需在交流电过零或特定相位时发送触发脉冲,并加入死区时间(如10ms)防止两路可控硅同时导通。 #### 3. 保护措施 - **RC缓冲电路**:在可控硅两端并联$R_s$和$C_s$(如$R_s=100Ω$,$C_s=0.1μF$),吸收开关过程中的电压尖峰[^3]。 - **压敏电阻**:并联压敏电阻(如$V_{var}=600V$),其压敏电压需满足$V_{var} < V_{DRM}$(可控硅断态重复峰值电压)。 - **散热设计**:根据导通电流$I_{T(RMS)}$计算功率损耗$P=I^2 \cdot R_{on}$,安装散热片或强制风冷。 #### 4. 示例代码框架 ```python # 伪代码:控制两个双向可控硅交替导通 import time def motor_control(direction): if direction == "forward": GPIO.output(TRIAC1_PIN, HIGH) # 触发T1导通 time.sleep(0.01) # 死区时间 GPIO.output(TRIAC2_PIN, LOW) elif direction == "reverse": GPIO.output(TRIAC2_PIN, HIGH) # 触发T2导通 time.sleep(0.01) GPIO.output(TRIAC1_PIN, LOW) ``` #### 5. 关键参数选型 | 参数 | 典型值 | 说明 | |---------------------|---------------------|-----------------------------| | $V_{DRM}$ | ≥600V | 可控硅耐压需高于电源峰值电压(220V×√2≈311V) | | $I_{T(RMS)}$ | ≥2倍电机额定电流 | 考虑启动电流冲击 | | 触发电流$I_{GT}$ | 5-50mA | 根据数据手册选择合适的光耦或驱动电路 |
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