DDR Study - MBIST Test Pattern

MBIST (Memory Built-In Self-Test) 常见的几种测试Pattern有Checkerboard Pattern, Walking Ones and Zeros等。
它们有不同的Pattern结构，分别针对Memory Test中不同的错误类型而设计，简单分析下。

常见的Memory Error memory

test的错误类型可以分为多种，常见的Error包括以下几类。

Type	Descriptions	Side
Bit Errors	最常见的内存错误类型，通常由硬件损坏、干扰或电源不稳定造成	DRAM
Address Line Errors	通常由于内存地址总线故障引起，可能导致读取错误数据	Host/DRAM
Delayed Errors	由于内存响应时间过长引起，与内存模块本身或者插槽问题有关	DRAM
Parity Errors	通过奇偶校验机制检测，与内存模块硬件故障、过热或兼容性有关	DRAM
Coupling Errors	涉及两个或多个内存单元之间的干扰，可能产生错误数据	DRAM
SAF - Stuck-At Fault	内存位被卡在一个固定状态，无法切换	DRAM
Transition Fau