IGBTMOS管的工作原理及检测方法

　　IGBT又称MOS管，是由双极型三极管（BJT）和绝缘栅型场效应管（MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。其输入极为MOS管输出极为PNP晶体管。因此，可以把其看作是MOS管输入的达林顿管。

        

　　它融合了MOS管的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点，具备易于驱动、峰值电流容量大、自关断、开关频率高（10-40kHz）等特点，已逐步取代晶闸管和门极可关断晶闸管（GTO），是目前发展最为迅速的新一代电力电子器件。广泛应用于小体积、高效率的变频电源、电机调速、UPS及逆变焊机当中。

　　一、IGBTMOS管的工作原理:

　　IGBT由栅极G、发射极E和集电极C三个极控制。

　　如图1，IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP晶体管提供基极电流，使IGBT导通。反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IGBT关断。

　　由图2可知，若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压，则MOS管导通，这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通；若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V，则MOS管截止，切断PNP晶体管基极电流的供给，使得晶体管截止。

          

　　如果IGBT栅极与发射极之间的电压，即驱动电压过低则IGBT不能稳定的工作；如果过高甚至超过栅极—发射极之间的耐压，则IGBT可能会永久损