氢在硅表面吸附和脱附的动力学和动力学

研究背景

吸附在硅上的氢可能是最简单的半导体吸附系统。在过去十年中，该系统已成为表面科学中的模型系统。由于许多用于硅器件加工的化学反应都会在表面上留下氢，因此该系统具有实际意义。强Si-H键可以钝化表面，限制进一步的反应。吸附的氢限制了低温（低于770 K）化学气相沉积的生长速率，并改变了外延生长薄膜的形态。

研究主旨

这篇论文主要研究了氢在硅表面的吸附和脱附过程，这是半导体物理和化学领域的一个重要课题。文章首先介绍了氢在硅表面吸附的基础性质，然后详细分析了实验观察到的现象，包括脱附动力学、脱附氢的能量分布和吸附概率。通过这些研究，揭示了氢在硅表面行为的一些新原理，这对理解更复杂的表面化学反应有重要意义。最后，文章提出了当前研究中尚未解决的问题，为未来的研究指明了方向。

研究特点

本文综述了氢在硅表面吸附和脱附的动力学和动力学研究。介绍了氢在硅表面上吸附的基本性质，实验观察，包括脱附动力学，脱附氢的能量分布，以及吸附概率。此外，还讨论了理论结果，对动力学和动力学的推断，以及从二氢化物阶段脱附的情况。最后，文章概述了仍需解决的剩余问题。

文章出处 氢在硅表面吸附和脱附的动力学和动力学