Cadence从原理图导入器件到layout步骤

1、从原理图导入器件到layout步骤

• 在原理图界面点击Launch（发行）->Layout XL在弹出的窗口中layout选Create New ；Configuration（配置）选Automatic（自动）。后点击OK就行
• 在弹出的layout界面中点击connectivity（连接）->Gennerate（形成）->All From Source在弹出的界面中只选择第一项就行，像PIN连接和其他选项不用勾选 

2、快捷键总结如下：

F2        存盘

F4 改变器件位置，已连好线的器件

c 复制

m 移动：选中参考点左击鼠标即可移动，再次左击鼠标释放

r 画矩形

Shift+ p    画多边形

P 画线

l 添加标识

s 拉伸图形边缘

a 指定的两个边缘对齐，指定的后者位置不变

Shift + c 剪裁：框选出需要去除的区域

Shift + o 旋转

Shift+ m 合并选中的同层

k   调用标尺

Shift+ k 清除标尺

f 全工作窗口显示
Shift+ z 缩小

Ctrl+ z 放大

i 添加元器件
q  编辑目标属性

u  撤销操作
Delete  删除

Esc键  撤消命令

Shift+ f  进入下层：显示MOS管的内部结构

Ctrl+ f  返回上层：只见MOS管的外框，隐藏内部的结构

 

3、 版图层次之间的关系

•       MOS管都是一层一层往上叠，首先是衬底，再是有源区，然后是扩散区分为P扩散和N扩散，接着是Poly（多晶硅），最后是金属层。每个层的区域有大小关系为： 衬底 > 有源区 = 扩散区 > Poly，关于金属层每一层有其特定的尺寸
•       NMOS管用P型衬底（P阱即PW），有源区为N型注入（SN）
•       PMOS管用N型衬底（N阱即NW），有源区为P型注入（SP）
•       有源区仅仅是把芯片分为有源区（做元件的区域）和场氧区两部分
•       绘制NMOS管和PMOS管的区别是扩散区不同，衬底不同，NMOS管的衬底为P阱即P型衬底，但由于芯片整块都是在一个P-SUB上所以可以省去不画，但PMOS管需要画上N

 

4、绘制版图需要注意的事项：

• 有源区需要N注入或P注入
• Poly层需要被SP或SN包围
• 每一层金属的走线宽度有指定的值，快捷键p自动适应宽度
• 绘制MOS管时还需要注意衬底接触，用过孔与电源或地相连
• 绘制的单元版图为了方便以后调用，电源使用同一尺寸，且标识使用“vdd！”标识为电源，“gnd！”标识为地，使用快捷键l进行标识操作
• CT为接触孔是金属1（M1）与多晶硅（Poly）或有源区（AA）的接触孔
• VIA为过孔是金属与金属之间的接触孔
• 对生成的元件进行打散Edit->Hierarchy->Flatten,勾选Pcells点击OK