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原创 版图提取的spice网表中参数含义及二级效应STI/WPE
寄生电阻、寄生电容可以从版图提出的.sp文件中看，ad area of drain 面积 as area of source pd perimeter of drain 周长，PS PD周长都不计算与栅极接触的部分 ps perimeter of source nrd 漏扩散区等效方块数 nrs 源扩散区等效方块数 sa ...
2022-02-28 15:51:50
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原创 cadence virtuoso快速查看mos管region【多种方法】
DC仿真完成之后，在ADE中点击results-Circuit Conditions...,弹出results：circuit conditions对话框，可以标注出电路图中饱和区BJT或线性区mos，也可以自己设置标注条件。点击saturation <BJT> or Linear <MOS>后的小方块选项框，选择标注颜色，然后点击右侧results-annotate中的place，就可以在电路图中看到所有位于饱和区BJT或线性区mos。示意图参考：https://jingy
2021-08-10 14:16:59
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原创 电路快速替换工艺、搜索、对比schematic
schematic中，edit-find，搜索edit-replace，替换对于同一工艺，使用replace很方便将mos管由3.3v模型替换为1.8v模型，注意选择hierarchy。
2021-07-30 14:31:33
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原创 快速建立尺寸不同的反相器等单元
通过参数传递+修改CDF参数实现。方法如下：建立一个schematic，搭反相器，设置W、L和M为变量：对于PMOS，M输入pPar（“mp”），W输入pPar（“wp”），L输入pPar（“lp”），对于NMOS，按照相同格式输入对应的参数mn、wn、ln。 然后生成symbol，在建立好的反相器schematic中点击create-cellview-from cellview，然后根据提示进行。 在生成的symbol中，按shift+n，输入[@wp]*[@mp]/[@lp]，放在整个s
2021-07-30 14:23:37
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原创 MOS管的亚阈值区
仿真得到的region含义0 截止区1 线性区（三极管区）2 饱和区3 亚阈值区4 break downVds与Vdsat的关系Vds > Vdsat时，region变为2，为了保证PVT下电路仍处于饱和区，需要让Vds -Vdsat大于某个经验值。在长沟道工艺（大约是大于4um）中，Vdsat=Vov， 过驱动电压Vov=Vgs-Vth，当Vds > Vdsat时，MOS管的沟道夹断（pinch off），电流饱和。但在先进工艺中，Vdsat...
2021-07-27 18:37:54
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原创 MOS管的finger和multiplier
finger是插指结构中手指头的个数，multiplier（m）是并联晶体管个数。对于单个晶体管，total width = number of fingers * w如果设置m=2，则有两个上述晶体管并联，并联结构的电流为单个晶体管的2倍。虽然总的width是相同的，但是这两种方式各有特点，finger可能存在最优值，multiplier要更精确一点。【在电流镜像结构的电路中，使用m实现镜像的效果 好于 使用finger实现镜像。】...
2021-07-27 11:29:05
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原创 MOS管参数计算
设计电路尺寸时，需要用到萨支唐公式，那么如何得到公式中的Vth和unCox呢？法1：看工艺的model，一般可以直接找到PMOS和NMOS的Vth0，u0和tox，根据下列公式由tox计算得出Cox，法2：搭单个管子的电路，DC扫描栅极输入电压，得到电流值，用matlab处理得到拟合线性曲线，根据斜率和截距，计算unCox、upCox和Vtn、Vtp。电路图及matlab代码参考http://www.lujun.org.cn/?p=1109法3：利用书上的model数据进行估算
2021-07-27 11:19:25
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空空如也
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