42、基于SOI FinFET的6T SRAM设计与白内障检测的深度学习方法

基于SOI FinFET的6T SRAM设计与白内障检测的深度学习方法

基于SOI FinFET的6T SRAM设计

在半导体集成电路领域，静态随机存取存储器（SRAM）扮演着重要角色。本文将详细介绍基于SOI FinFET的6T SRAM的设计、操作及性能评估。

6T SRAM的基本操作

6T SRAM的操作主要分为读操作和写操作，具体步骤如下：
|操作类型|步骤|
| ---- | ---- |
|读操作|1. 对bit和bit_b进行充电使其为高电平
2. bit和bit_b处于浮空状态
3. 拉高字线
4. bit包含数据值|
|写操作|1. 对bit进行充电使其为高电平
2. 让bit浮空
3. 将bit_b拉低到地
4. 拉高字线|

器件约束

晶体管的相对尺寸是6T SRAM的一个重要方面。为了实现所需的功能，在读写操作期间必须正确保持晶体管的尺寸。
- 读操作时 ：与低Q节点相连的位线将被拉到地。此时，电荷会通过访问晶体管（A）和驱动晶体管（D）转移。电流会导致Q节点的电压有小幅度上升，如果上升幅度足够大，可能会达到过高的水平。为了避免不必要的翻转，D应该比A更强（即访问晶体管应该比驱动晶体管更窄或更长）。
- 写操作时 ：被拉到地的位线应该能够将相邻高Q节点的电压降低到该节点可以变为低电平的程度。与Q节点连接到Vdd的P晶体管会阻止这种翻转。因此，为了使写入成功，P必须比A更弱。

这两个条件（D >