本文介绍了温度控制中PID控制器的工作原理和实现方法。硬件部分利用PWM控制MOSFET，通过调节VCC实现温度控制。软件部分，对比了公式1和公式2的PID效果，公式2因其参数的物理意义而提供了更好的调节性能。PID调节频率为50Hz，数据发送频率为2Hz。文章还提出了Bang-Bang控制、变速积分法等改进措施，并采用滑动均值滤波算法处理AD转换结果，以消除干扰。最后，通过图表展示了温度控制过程和扰动后的恢复情况。
硬件：
T1的b极输入PWM波（3.6V），高电平时，三极管导通，MOSFET的栅极为低电平，MOSFET关闭；PWM为低电平时，三极管关闭，MOSFET的栅极为高电平，MOSFET导通。这里三极管有一个上拉的作用。实测N沟道增强型IRFB3607的导通电压为5V，完全导通需要12V，所以VCC应该大于12V，若VCC小于12V，则MOSFET处于半导通半不导通状态，在这上面会消耗许多的热量，效率就会变低。
软件：
公式1:
公式2:
刚开始时，用公式1来计算PID，但效果不佳，只能在温度超过阈值时才触发动作，所以会振荡得厉害。
后来改用公式2，效果比公式1好，原因在于：公式2中的参数Kp、Ki、Kd有明显的物理意义，可以参照各个参数的物理说明进行调节。公式1中的参数物理含义不明显，所以调节起来不是很好。
我们的调节PID的频率为每秒钟50次，
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