该章节选自EE214B Winter 2013-14-Chapter,通过对CMOS器件的扫描,绘制出不同的Length,gm/id,的Ft(截止频率),Gm*RO本征增益,id/width(电流密度),电容,通过查找曲线的方式确定最佳的尺寸…
Gm&Id设计方法介绍及曲线仿真
最新推荐文章于 2025-03-02 19:31:37 发布
该章节选自EE214B Winter 2013-14-Chapter,通过对CMOS器件的扫描,绘制出不同的Length,gm/id,的Ft(截止频率),Gm*RO本征增益,id/width(电流密度),电容,通过查找曲线的方式确定最佳的尺寸…