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RSS订阅原创 共源放大器的大信号分析
本文分析了拉扎维《CMOS模拟集成电路》中两种共源级放大器的大信号特性。对于电阻负载结构，通过建立栅极电压、漏极电流和漏极电压的方程组可确定电路状态；二极管负载结构则需M1和M2共同协商工作点。文章指出考虑二级效应会使分析更复杂，但大信号分析能更直观地理解电路工作状态。两种结构都通过建立方程组求解关键参数，体现了电路分析的数学本质。
2025-10-01 11:30:11
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原创 MOS管：横坐标ID纵坐标gm的特性曲线
在拉扎维的第二版的《CMOS模拟集成电路设计》第48页的纳米设计注意3.2中，提到了MOS管的一种特性曲线，横坐标是漏极电流ID，纵坐标是gm。我们知道对于长沟道的MOS管，其ID、gm和VGS-VTH存在一一对应的关系。也就是只要MOS管的漏极电流确定，那么MOS管的VGS-VTH和gm就确定了。我们可以搭建如下图所示的电路来绘制MOS管的这个特性曲线，另宽长比为4um/1um。 对于该电路进行DC仿真，同时对漏极电流进行扫描，得到如下图所示的结果图。
2025-10-01 10:33:48
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原创 MOS管的偏置
摘要：通过CMOS模拟集成电路设计中MOSFET跨导特性的分析，验证了饱和区MOS管的跨导(gm)、漏极电流(ID)和栅源过驱动电压(VGS-VTH)之间存在一一对应关系。实验仿真表明，当固定其中任意一个参数时，其他两个参数会自动调整到唯一确定值，这一特性在长沟道器件中表现尤为明显。短沟道器件由于沟道调制效应会存在微小偏差，但整体规律仍成立。研究还发现，当施加不匹配的ID和VGS-VTH时，MOS管会通过调整VDS来满足偏置条件。
2025-09-30 19:53:02
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原创 Cadence virtuoso 使用gm/ID方法设计共源放大器
本文介绍了gm/ID设计方法在共源放大器设计中的应用。传统手工计算方法依赖设计者经验，而gm/ID方法通过跨导电流效率(gm/ID)作为核心参数，结合仿真工具的参数扫描，能更高效地确定电路参数。文章详细分析了gm/ID与栅长L、栅源电压VGS和栅宽W的关系，并解释了ID/W参数在表征晶体管工作区域和电流匹配中的重要性。通过具体设计实例，展示了如何利用gm/ID方法确定电路参数，最终实现20dB增益和106MHz带宽的设计目标。该方法降低了设计难度，提高了设计精度，是现代模拟IC设计的重要方法。
2025-09-03 22:15:23
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原创 Cadence virtuoso MOS管过饱和驱动电压的选取
本文探讨了MOS管过饱和驱动电压(VGS-VTH)的优化选取方法。通过分析MOS管的能效(跨导电流效率gm/ID)和速度(特征频率fT)指标，提出以gm/ID*fT乘积最大化为优化目标。采用仿真方法扫描VGS-VTH，发现当VGS-VTH=200mV时该乘积达到最大值，此时gm/ID≈8。通过参数扫描验证了该优化结果在不同栅长(200nm~1um)下具有普适性，为不同工艺下的MOS管设计提供了通用优化方法。
2025-09-03 16:41:17
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原创 Cadence virtuoso 电阻负载共源放大器(CS)设计和仿真
本文介绍了基于smic18mmrf工艺库设计电阻负载共源放大器的完整过程。设计目标为：负载电容1pF、增益20dB、单位增益带宽10MHz。通过预设NMOS管宽长比（4um/1um）、计算过饱和驱动电压（200mV）和栅源电压（650mV），采用"计算-仿真-调整"的迭代方法完成设计。最终仿真结果显示增益达20dB，带宽17.2MHz，满足设计要求。文章还对比了手算参数与实际结果的差异，并介绍了使用计算器输出仿真结果的技巧，为单级放大器设计提供了实用参考。
2025-09-02 12:46:48
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原创 Cadence virtuoso MOS管参数的提取
本文介绍了MOS管参数提取的过程，重点分析了NMOS和PMOS的工作原理及工作区域的判定条件。通过搭建仿真电路，获取了MOS管的静态工作点、阈值电压等关键参数，并对比了NMOS和PMOS的差异。文章详细列出了包括阈值电压、跨导、输出电阻等在内的器件参数，并通过仿真结果进行了验证。研究发现长沟道模型在短沟道情况下存在偏差，同时提供了用于粗略计算的主要参数值。最终建议将NMOS的阈值电压简化为450mV以方便实际设计计算。
2025-09-01 11:08:17
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原创 Cadence virtuoso的直流仿真(dc)和瞬态仿真(tran)
本文介绍了Cadence Virtuoso中的两种电路仿真方法：直流仿真和瞬态仿真。直流仿真用于获取电路的静态工作点、节点电压和MOS管参数，支持变量扫描功能；瞬态仿真则用于观察节点电压/电流随时间变化的波形。文章以反相器电路为例，详细说明了创建仿真电路、设置激励源（vdc/vpluse）、配置仿真参数的操作步骤，并展示了直流扫描和瞬态波形仿真的具体实现过程。文中还提供了快捷键操作技巧（如空格键生成线标、shift+e编辑符号等）和注意事项。
2025-08-30 23:34:22
2339
原创 Cadence virtuoso 绘制原理图
本文介绍了使用Virtuoso软件进行电路设计的步骤：首先导入工艺库并新建工程库，在库中创建单元；然后通过快捷键操作（i放置元件、w连线、p加引脚）完成反相器原理图绘制；最后创建电路符号以便调用。整个过程包括库管理、原理图设计和符号生成三个主要环节，形成完整的电路设计流程。
2025-08-30 19:13:12
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原创 Cadence virtuoso导入工艺库
本文介绍了在虚拟机环境下使用virtuoso软件导入工艺库的方法。首先通过复制粘贴或VMware共享文件夹功能将工艺库压缩包从主机传递到虚拟机，解压后存放在指定路径。随后在工程目录下启动virtuoso，通过"Library Path Editor"工具添加工艺库路径，并保存配置文件至启动目录下的cds.lib文件中。该方法实现了工艺库的顺利导入，为后续电路设计中的元器件调用奠定了基础。
2025-08-30 18:15:27
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原创 系统传递函数的幅频响应和相频响应------------------计算方法
系统的传递函数是指系统输出信号的拉普拉斯变换和系统输入信号拉普拉斯变换之比。从系统函数中我们可以分析这个线性系统的动态特性。系统传递函数可以写成零点和极点的形式。
2025-03-05 13:18:58
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原创 使用gm/ID的方法设计电阻负载的共源放大器
我们已经知道了使用这个设计方法的优势，就是避开了这个参数的计算，直接进行MOS管顶层的设计。那么下面我们就要知道什么是gm/ID的设计方法。gm/ID的设计方法就是以为核心的MOS设计方法。围绕这个参数的设计，我们可以确定MOS管的尺寸以及静态工作点。
2025-03-02 19:31:37
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原创 MOS管使用---如何选取合适的过驱动电压？
表示为跨导和漏极电流的比值，表现为单位漏极电流可以转换的电导。，但是这是理想的状况，在实际的过程中，由于存在二级效应的影响，导致这三个值并不是完全相等的。4.分析当mos管的栅长发生变化时，这个最佳过驱动电压的取值的变化情况。分析：当栅长该改变时，最佳的过驱动电压取值不变，为100mV。最大，则此时的过驱动电压就完成了mos管精度与速度的折衷。，则截止频率随着过驱动电压的增大而增大。的值来评估我们的过驱动电压的好坏。
2025-02-28 20:38:23
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原创 Cadence virtuoso的默认的model library设置-------解决办法
1.找下载的工艺库的路径，比如我的工艺库是“tsmcN40”,打开它的文件夹；每次仿真都手动更改默认的model library。更该工艺库的默认的路径。
2025-02-28 15:25:26
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原创 Cadence virtuoso 无法正常打印电路图----解决办法
摘要：在虚拟机使用Cadence Virtuoso时，新工艺库可能导致无法打印电路图/版图。解决方法为：1)复制安装目录下的cdsplotinit.sample文件到工作目录并重命名；2)重启Virtuoso后即可选择打印机。打印时需注意：将输出设为PS格式并添加"./"路径前缀，再通过ps2pdf命令转换为PDF格式。该方法解决了因缺少plotter配置导致的打印问题，确保文件可正常查看。
2025-02-28 13:39:34
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原创 Cadence virtuoso 瞬态仿真的波形是很细的虚线------解决办法
,点击，在右侧的“line style”中，将虚线改成实线，并点击右下角的"的情况，如下图所示。这是因为软件设置的默认是虚线的形式。下面介绍修改的方法。5.Device下面的那个下拉框打开，并选择“8.修改完成后，重启软件，图形变成正常形式。当我们使用一个新的工艺库时，会出现绘制的。7.重复第六步的操作，依次修改。6.在下面的搜索框中输入“"保存修改，如下图所示；4.进入如下图所示界面；一定要点击，不要不会保存。1.在CIW界面，点击。
2025-02-24 19:04:03
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空空如也
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