44、高密度互连积层技术详解

高密度互连积层技术详解

1. 高密度互连基板简介

高密度互连基板（HDISs）是最新的有机印刷电路板和集成电路芯片载体。它们通过采用更小的几何尺寸，更重要的是使用更小的过孔结构来实现高密度。现在还有使用导电膏形成层对并将多层基板连接在一起的选择，这相当于共烧陶瓷基板技术的有机版本。越来越多的新型高性能材料使这些有机结构适用于越来越多的高频应用、高输入输出倒装芯片载体、高可靠性运输和军事用途，以及数量不断增加的便携式产品。

2. 积层技术

本节讨论采用非钻孔过孔形成技术的工艺。通孔钻孔在直径小于 0.20 毫米（0.008 英寸）时是可行的，但成本和实用性限制了这种方法。在直径小于 0.20 毫米（0.008 英寸）时，激光和其他过孔形成工艺更具成本效益。用于印刷电路的五种主要过孔形成工艺如下：
1. 机械钻孔
2. 光敏电介质
3. 激光钻孔
4. 等离子蚀刻
5. 绝缘位移

2.1 机械钻孔

机械钻孔传统上是全球最广泛使用的钻孔方法，但由于越来越多的设计需要直径小于 0.20 毫米（0.008 英寸）的微孔，新的技术应运而生。盲孔和埋孔的使用和普及加速了这一趋势。机械钻孔是各向异性的，即垂直壁是笔直的。许多非钻孔工艺是各向同性的，即过孔壁在深入时会横向后退或有倾斜壁，因此入口开口比出口开口大。较大的入口开口便于金属化，但各向同性的后退壁可能会阻碍金属化，并且难以电镀。这些孔壁上的薄镀层是一个明显的可靠性问题。各向同性和各向异性钻孔的过孔轮廓对比如下：
| 钻孔类型 | 过孔壁特征 | 对金属化影响 |
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