cadence——MOS晶体管I-V特性曲线仿真

原创 已于 2022-04-22 15:07:16 修改 · 1.8w 阅读 · 151 ·
CC 4.0 BY-SA版权
版权声明：本文为博主原创文章，遵循 CC 4.0 BY-SA 版权协议，转载请附上原文出处链接和本声明。
文章标签：

#硬件工程

于 2022-04-22 11:32:16 首次发布
本文详细介绍了如何利用Cadence软件进行MOS晶体管的直流仿真，绘制I-V特性曲线。首先新建原理图，设定栅极电压Vg和漏极电压Vd为变量，接着在ADEL中添加变量并设置dc仿真对Vd进行扫描。通过Parametric Analysis以Vg为参变量进行仿真，得到输出电流Id随Vg变化的输入特性曲线。最后，通过查看DCOperatingPoints可以观察到MOS管的参数。

MOS晶体管I-V特性曲线仿真


目标：使用cadence绘制晶体管的I-V特性曲线(dc仿真)
流程：

  1. 新建原理图，将MOS管的栅极电压设为变量Vg，漏极电压设为变量Vd
    在这里插入图片描述

  2. 打开ADEL，点击Variables——Copy From Cellview添加变量；并选择dc仿真，对Vd进行扫描
    在这里插入图片描述

  3. 以Vg作为参变量进行仿真，点击Tools——Parametric Analysis进行设置
    在这里插入图片描述
    在这里插入图片描述

  4. 选择漏极电流作为输出，进行仿真即可得到I-V特性曲线
    在这里插入图片描述

  5. 仿真绘制MOS管的输入特性曲线
    将Vd值设为1.2V，在dc仿真设置里，把变量改为Vg
    在这里插入图片描述
    点击运行按钮即可得到输入特性曲线，即输出电流Id随输入电压Vg的变化

最低0.47元/天 解锁文章
mos管的输入输出特性曲线及gm/id仿真曲线（cadence IC617）
yytu231的博客
07-18 2万+
mos管输入输出特性曲线，gm/id曲线
MOS管IV特性曲线 cadence IC617仿真记录
qq_60947480的博客
04-17 8684
（仅为个人记录）打开IC617新建library，统一存放自己的电路图新建cellview，建立电路图快捷键 I 添加元件 选择analoglib中的nmos4 vdd vdc gnd等快捷键 w 添加连线绘制电路图如下选中元件，快捷键 q 编辑元件属性设置MOS宽长比如下设置电压源的 DC voltage设置完成后，点击check -> current cellview 检查电路显示无错误即可点击Launch -> ADE L进行仿真1.首先设置model libraries工艺角为tt2.添
Hspice仿真Nmos特性曲线
10-06
Hspice仿真Nmos特性曲线
virtuoso ADE L仿真（含dc、tran、ac、pz、noise、calculetor）
最新发布
xly1126的博客
11-05 1392
本文详细介绍了Cadence Virtuoso ADEL仿真流程，包含以下核心内容：1）设计变量设置，包括变量编辑、参数扫描和激励信号添加方法；2）五种仿真分析设置（DC、Transient、AC、PZ、Noise）的具体参数配置步骤；3）输出信号设置与仿真运行注意事项；4）波形图处理技巧，包括显示控制、标记工具使用；5）波形计算器的功能应用。全文系统阐述了从变量设置到结果分析的全流程操作要点，为电路仿真提供了实用指导。
1、基于Cadence617，仿真mos管的V-I特性曲线
2201_75370426的博客
12-04 3249
使用到的软件，cadence 617，工艺是tsmc18rf。
（一） 基于Cadence 617 MOSFET的V-I曲线仿真
qq_45121415的博客
03-09 8526
基于Cadence IC617 MOSFET的V-I特性仿真，绘制vgs与id，vds与id的关系
MOSFET基本结构
m0_73535031的博客
03-01 2845
MOSFET的基本结构 以NMOS为例介绍MOSFET的基本结构，如下图所示，器件以p型硅为衬底，并扩散形成两个重参杂n+的区域，分别为源端（Source）和漏端（Drawn），应当注意的是，对于单个器件，源端和漏端是人为定义的，两者是对称可交换的。对于NMOS器件，源端一般接在电路的最低电位（接地），但对与PMOS源端一般接在最高电位（Vdd）。源漏之间的存在导电沟道，其理论长度为Ldrawn,但是由于在形成过程中的非理想因素的影响，导电沟道的长度会有一定程度的减小，也即Leff,两者之间的距离
Cadence仿真MOS晶体管电容及其它参数
热门推荐
李敏儿oc的博客
05-29 1万+
本文介绍了如何用Cadence仿真MOS晶体管的电容，并仿真了电容随栅压变化的曲线。
virtuoso IC5141 实验一 MOS管I-V特性仿真验证
yangkunol的博客
04-21 4946
摘要：基于IC5141平台仿真CSMC05工艺下的MOS特性
Cadence virtuoso MOS管参数的提取
XC86866812的博客
09-01 1560
本文介绍了MOS管参数提取的过程，重点分析了NMOS和PMOS的工作原理及工作区域的判定条件。通过搭建仿真电路，获取了MOS管的静态工作点、阈值电压等关键参数，并对比了NMOS和PMOS的差异。文章详细列出了包括阈值电压、跨导、输出电阻等在内的器件参数，并通过仿真结果进行了验证。研究发现长沟道模型在短沟道情况下存在偏差，同时提供了用于粗略计算的主要参数值。最终建议将NMOS的阈值电压简化为450mV以方便实际设计计算。
Cadence virtuoso 仿真MOS C-V曲线
07-10
在Cadence Virtuoso中进行MOS电容-电压（C-V）曲线仿真，通常需要通过设置适当的仿真环境和分析类型来实现。以下是具体的操作流程和技术要点。 ### 仿真前的准备 1. **搭建电路模型** 在Virtuoso中创建一个包含...
nmos转移特性曲线hspice程序——nmos_tcc.sp
06-04
nmos的转移特性曲线hspice程序 用于基础学习hspice仿真的新手 完美运行
实验：MOS 管共源放大电路分析 cadence
07-11
实验：MOS 管共源放大电路分析 cadence实验：MOS 管共源放大电路分析 cadence
实验一：MOS管基本特性测试 cadence
07-11
实验一：MOS管基本特性测试报告 cadence
cadence virtuoso MOS管IV特性仿真
陆已十六
07-11 1万+
仿真工具：Cadence virtuoso 6.17 工艺库：中芯国际simc_18mmrf 仿真案例：MOS管IV特性仿真一、建立设计库和Cell
单晶体管仿真分析
qq_43534451的博客
11-25 1681
仿真原理图如下： PORT0的相关设置如下： 电容c0的设置如下： 电感L17的设置如下： V9的设置如下： NM1的设置如下： 电感L16的设置与电感L17的设置相同，电容C5的设置与C0的设置相同。 PORT1的设置如下： VDD上的电感V1设置如下： L0和L1的设置如下： 仿真界面如下： 先进行直流仿真，print直流信息 print直流信息后，一定要选一下MOS管，才能在窗口中显示MOS管的相关信息。print的信息如下： 仿真电流Id随着VB的变化曲线 注意电流
模电·晶体管的共射特性曲线_011
酷哥的博客
11-22 2011
集体管的输入特性和输出特性曲线描述各电极之间电压、电流的关系，用于对晶体管的性能、参数和晶体管电路的分析估算。
（一）MOSFET的I-V曲线仿真
qq_47452573的博客
02-26 1347
基于Cadence 617 MOSFET的V-I曲线仿真 1、目标 仿真V-I特性曲线（输出特性、转移特性） 2、过程 新建原理图 打开ADE L仿真并设置一些参数 仿真结果 仿真结果
cadence617仿真时查看mos器件参数（小记01）
weixin_46139598的博客
07-22 3628
在ADE里面选择好仿真运行后点击Result，print，model parameters；然后双击你需要的器件就会出现result display windows
评论
添加红包

请填写红包祝福语或标题

个

红包个数最小为10个

元

红包金额最低5元

当前余额3.43元 前往充值 >
需支付：10.00元
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包
实付元
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明：

1.余额是钱包充值的虚拟货币，按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载，可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值