LPDDR5x电源使用Si电容对PI和PSIJ影响分析

SoC可能包含许多高速接口，其中LPDDR5X目前因为高带宽、低功耗、大容量等性能优势开始逐渐在AI计算、5G通信、视频处理等领域开始使用。LPDDR5X目前的速率高达8.533 GT/s，以及多个为这些接口供电的IO电压轨，而这些IO轨的PDN需要提供低阻抗，同时最小化在PCB上占用的资源，如封装焊球和PCB电源填充。

需要为IO信号设计低阻抗的PDN，对于涉及在电源网络上提供的去耦电容需要严格设计，并最小化通过该电容连接到IO负载的电感。通常使用的电容器是板上的MLCC和集成在SoC上的片上电容。连接通过IC封装和PCB进行。这种方法意味着向PDN添加电容会增加PCB的面积。此外，由于MLCC位于PCB上，每个MLCC的有效性都受到封装和PCB电感的限制。