不同PVT条件下芯片IO信号完整性的特征表现

前面的文章，我们分享了在考虑不同PVT条件时芯片电源完整性的特征表现，以及常用的一些优化方向（芯片电源完整性在不同芯片Corner下的特征，不同芯片Corner下的功耗特征表现）。不仅是电源跟PVT相关性大，高速信号也会跟不同PVT相关，那在不同的PVT下，信号完整性的特性又将如何变化呢？接下来我们就来分析一下。

首先还是先对PVT进行介绍一下，在芯片设计中，corner通常指的是工艺角，也就是制造过程中工艺参数的变化，比如温度、电压和工艺偏差的组合。不同的corner会影响晶体管的性能，进而影响整个芯片的性能，尤其是高速IO的信号完整性。

高速IO的信号完整性主要涉及几个方面：时序、电压水平、噪声、阻抗匹配、功耗等。那么在不同的corner下，比如FF（Fast-Fast）、SS（Slow-Slow）、TT（Typical-Typical）、FS（Fast-Slow）、SF（Slow-Fast）等，这些信号的参数会如何变化？    

先来说“P”，晶体管的速度在不同的corner下会变化，FF corner下，晶体管速度最快，驱动能力强，可能导致信号上升/下降时间变短，这可能引起过冲或下冲，增加信号反射的风险。而SS corner下，晶体管速度慢，驱动能力弱，可能导致信号边沿变缓，增加时序问题，比如建立时间和保持时间不够，影响数据正确捕获。

再来说“V”，不同corner通常伴随不同的电压条件，比如，在低压情况下（可能