weixin_41515979的博客

原创 IC中的PVT

IC中的PVT1.工艺角-process corner不同的晶片和不同的批次之间，因为掺杂、刻蚀、温度等外界因素导致MOSFETs参数的变化范围比较大。为减轻设计困难度，需要将器件性能限制在某个范围内，并报废超出这个范围的芯片，来严格控制预期的参数变化。工艺角即为这个性能范围。[1]1.2 5-Corner modelTT：nmos -Typical corner & pmos -...