常用电平标准之LVCMOS

本文介绍mDDR内存使用的lvcmos电平标准特性,对比标准DDR所用SSTL电平的不同之处。重点阐述lvcmos电平的高电压容限和较大电压摆幅的特点。

mDDR的IO用的是lvcmos电平标准,不同于标砖的DDR的SSTL电平。

LVCMOS特点:电压容限高。需要较高的电压摆幅。


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