1、目的与要求
掌握静态随机存取存储器RAM工作特性及数据的读写方法。
2、实验设备
ZYE1601B计算机组成原理教学实验箱一台,排线若干。
3、实验步骤与源程序
l) 实验接线如下:
⑴ MBUS连BUS2;
⑵ EXJ1连BUS3;
⑶ 跳线器J22的T3连TS3;
⑷ 跳线器J16的SP连H23;
⑸ 跳线器SWB、CE、WE、LDAR拨在左边(手动位置)。
2) 连接实验线路,仔细查线无误后接通电源。
形成时钟脉冲信号T3,方法如下:在时序电路模块中有两个二进制开关“运行控制”和“运行方式”。将“运行控制”开关置为“运行”状态、“运行方式”开关置为“连续”状态时,按动“运行启动”开关,则T3有连续的方波信号输出,此时调节电位器W1,用示波器观察,使T3输出实验要求的脉冲信号;本实验中“运行方式”开关置为“单步”状态,每按动一次“启动运行”开关,则T3输出一个正单脉冲,其脉冲宽度与连续方式相同。
3) 具体操作步骤图示如下:
给存储器的00地址单元中写入数据11,具体操作步骤如下:
KD0-D7=00000000 |
数据开关置数 |
SWB=0 |
开输入三态门 |
数据置入地址寄存器 |
SWB=1 |
SWB=1 |
CE=1 |
CE=1 |
SWB=0 |
LDAR=1 |
T3= |
KD0-D7=00010001 |
开输入三态门 |
数据开关置数 |
SWB=0 |
LDAR=0 |
SWB=0 |
CE=0 |
LDAR=0 |
T3= |
WE=1 |
数据置入存储器RAM |
如果要对其它地址单元写入内容,方法同上,只是输入的地址和内容不同。
(4) 读出刚才写入00地址单元的内容,观察内容是否与写入的一致。具体操作步骤如下:
KD0-D7=00000000 |
数据开关置数 |
SWB=0 |
开输入三态门 |
数据置入地址寄存器 |
SWB=1 |
CE=1 |
CE=1 |
SWB=0 |
LDAR=1 |
T3= |
SWB=1 |
CE=0 |
LDAR=0 |
WE=0 |
数据从存储器读出 |
KD0-D7=00000000 |
数据开关置数 |
SWB=0 |
开输入三态门 |
数据置入地址寄存器 |
SWB=1 |
CE=1 |
CE=1 |
SWB=0 |
LDAR=1 |
T3= |
SWB=1 |
CE=0 |
LDAR=0 |
WE=0 |
数据从存储器读出 |
KD0-D7=00000000 |
数据开关置数 |
SWB=0 |
开输入三态门 |
数据置入地址寄存器 |
SWB=1 |
CE=1 |
CE=1 |
SWB=0 |
LDAR=1 |
T3= |
SWB=1 |
CE=0 |
LDAR=0 |
WE=0 |
数据从存储器读出 |
KD0-D7=00000000 |
数据开关置数 |
SWB=0 |
开输入三态门 |
数据置入地址寄存器 |
SWB=1 |
CE=1 |
CE=1 |
SWB=0 |
LDAR=1 |
T3= |
SWB=1 |
CE=0 |
LDAR=0 |
WE=0 |
数据从存储器读出 |
4、结果分析与实验体会
1)根据存储器的读写原理,填写表2.5.2。
表2.5.2 存储器的读写信号配合
控制信号 | 写地址 写内容 读内容 |
SWB开关 | 0 0 1 |
LDAR 开关 | 1 0 0 |
CE 开关 | 1 0 0 |
WE开关 | 0 1 0 |
2)记录向存储器写入数据的操作过程。
按照前面介绍的实验步骤向存储器地址为00H, 01H,02H,03H,04H,05H的单元分别写入数据:55H,33H,44H,66H,08H,F0H。
3)写出读出存储器单元内容的操作过程并记录以下地址单元读出的内容。
表2.5.3 存储器单元内容读出记录
地址 | 内容 | 地址 | 内容 |
00000000 | 01010101 | 00000100 | 00001000 |
00000001 | 00110011 | 00000101 | 11110000 |
00000010 | 01000100 | 00001000 | 00000000 |
00000011 | 01100110 | 00001001 | 00000000 |
4)根据电路图分析向存储器置数和从存储器读数的工作原理。
通过向静态RAM中写入数据并且读出相关数据,在input单元中输入数并存入地址寄存器中,再向相应的地址单元存入数。
当验证读出的数据时,只需要再在input单元中输入想要读出单元的地址,再通过片选端CE读出存储单元内的数据。