检测部分:相电流低端采样

三相无刷电机驱动器电路设计



前言

电流采样有三种方式:
在这里插入图片描述
其中低端采样有三种方法:单电阻、双电阻、三电阻采样。

方法​硬件成本​采样复杂度 ​是否需要检测反向电流​反向电流检测能力​适用场景
​单电阻采样最低最高​需要依赖母线电流极性判断,需保证采样窗口覆盖反向电流时段(如PWM续流阶段),受算法限制。成本敏感的中低性能应用
​双电阻采样中等中等​需要两相直接采样可检测负电流,第三相通过计算获得,需硬件支持双极性信号输入。平衡性能与成本的场景
​三电阻采样最高最低 ​需要三相独立检测,直接测量负电流,硬件支持双极性信号(如差分放大或电平偏移电路)。高性能或高精度需求的应用

其中的反向电流生成的经典场景:
1、再生制动:
电机作为发电机运行时,电流反向流动,能量回馈至电源。
(电动车下坡时,电机反转发电,电流方向与驱动时相反。)
2、PWM开关阶段续流:
在PWM关断期间,电感电流通过续流二极管(体二极管或外部二极管)反向流动。
(上桥臂关断时,电流通过下桥臂二极管续流,母线电流方向反转。)
3、换向过程中的电流换向:
在六步换相法中,换相瞬间可能导致相电流极性突变。
(从A相切换到B相导通时,A相电流可能因电感特性短暂反向。)
4、动态负载突变:*
负载突然减小时,电机反电动势可能超过电源电压,引发反向电流。

(我选择三电阻采样的方式,来实现六步换相和FOC)


一、采样电阻的选择

低端采样通常是将电阻放在MOSFET的下端,也就是地线侧,这样测量的电压相对于地,比较容易处理。但需要考虑电阻的阻值、功率、温度系数,还有噪声干扰的问题。

  • 注意:
    采样电阻的阻值不能太大,否则功耗太高,发热严重。但也不能太小,否则采样到的电压信号太小,容易被噪声淹没,影响精度

1、确定关键参数
最大相电流:根据电机参数确定(该电机满负载10.5A,但是想着后面可能会换电机,所以我根据MOSFET的参数来确定,即额定10A,峰值30A来算)

ADC输入范围:该驱动使用的是2.5V参考电压,板载ADC为12位。

目标精度:1%
2、采样电压的合理范围:
典型范围:(下限:避免噪声干扰信号;上限:保留10%余量,防止运放饱和或ADC溢出)

参考电压典型范围
2.5V50mV~300mV
3.3V50mV~500mV
5V100mV~500mV

动态范围优化(参考电压2.5V时):

  • ADC为12位,则每个LSB(最小分辨率)为:
    L S B = 2.5 V 4096 ≈ 0.61 m V LSB= \frac{2.5V}{4096} ≈0.61mV LSB=40962.5V0.61mV
  • 假设目标电流精度为1%,则采样电压需覆盖至少 ​100个LSB​(即 0.61mV×100≈61mV),因此采样电压应大于60mV。

3、阻值计算与功耗平衡
计算:
R = V 采样电压 I 最大电流 R= \frac{V_{采样电压}}{I_{最大电流}} R=I最大电流V采样电压
采样电压设为150mV;最大电流30A;
计算得:0.005Ω。
功耗计算(MOSFET额定电流10A):
P = I 2 R = 1 0 2 × 0.005 Ω = 0.5 W ( 至少选择 1 W 留有余量 ) P=I^2R=10^2\times 0.005Ω=0.5W(至少选择1W留有余量) P=I2R=102×0.005Ω=0.5W(至少选择1W留有余量)

4、电阻性能要求

  • 温度系数(TCR)​:优选低温漂电阻(如金属箔电阻、锰铜合金),TCR ≤50ppm/℃。

  • 寄生电感:选择无感电阻(如薄膜电阻),避免高频开关噪声干扰。

  • 精度:至少±1%精度,高精度场景需±0.5%或更低。

5、PCB布局优化

  • 电阻靠近MOSFET地端,缩短走线以减少噪声。

  • 使用Kelvin连接(四线制)隔离功率和信号路径。

  • 差分走线至运放,避免地线干扰。

  • 在运放前端添加RC低通滤波器(如1kΩ+100nF),截止频率约160Hz,抑制PWM噪声。


二、运放电路搭建

1.确定信号链需求

  • 输入信号范围
    有上面的内容可知:
    最大电流30A;
    动态电流范围-30~30A;
    采样电压150mA;
    信号动态范围0(负满量程)~0.15V(正满量程);

  • 目标输出范围
    匹配板载ADC的输入范围(0~2.5V),需要放大倍数(1/2VREF偏移):
    G = 1.25 V 0.15 V ≈ 8.33 × , 实际取( G = 8 ,保留余量) G=\frac {1.25V}{0.15V} ≈8.33\times,实际取(G=8,保留余量) G=0.15V1.25V8.33×,实际取(G=8,保留余量)


2.选择运放拓扑

  • 差分放大电路​(抑制共模噪声)
    共模信号是指同时作用于多个电路或电子设备上的信号,这些信号具有相同的幅值和相位,且相对于设备或电路的地(或参考)电势具有相同的偏移量。共模信号通常是由于电源噪声、接地回路干扰、信号线的不平衡等原因产生的。
    选择的运算放大器:尽量有高共模抑制比(CMRR >100dB)、低失调电压
    选择的电阻网络:精密匹配电阻(误差 ≤0.1%)

  • 其中搭建运放电路的的时候,因为需要检测反向电流,所以需要使用差分放大电路或电平偏移,使ADC可测量负电压(如运放偏置至Vref/2)。

  • 差分放大器电平便宜(基本功能电路):
    在这里插入图片描述

运放虚短和虚短:VOP- = VOP+ = VOP
节点TP1:
V o p − V i n 2 R 4 + V o p − V o u t R 5 = 0 \frac {Vop-Vin2}{R4}+\frac {Vop-Vout}{R5}= 0 R4VopVin2+R5VopVout=0
节点TP2:
V o p − V i n 1 R 1 + V o p − V r e f R 2 + V o p − 0 R 3 = 0 \frac {Vop-Vin1}{R1}+\frac {Vop-Vref}{R2}+\frac {Vop-0}{R3} = 0 R1VopVin1+R2VopVref+R3Vop0=0
由两个式子可得:
V o u t = R 4 + R 5 R 4 ∗ 1 R 2 ∗ ( 1 R 1 + 1 R 2 + 1 R 3 ) ∗  Vref  Vout= \frac{R 4+R 5}{R 4} * \frac{1}{R 2 *\left(\frac{1}{R 1}+\frac{1}{R 2}+\frac{1}{R 3}\right)} * \text { Vref } Vout=R4R4+R5R2(R11+R21+R31)1 Vref 
+ R 4 + R 5 R 4 ∗ 1 R 1 ∗ ( 1 R 1 + 1 R 2 + 1 R 3 ) ∗  Vin1 − R 5 R 4 ∗ V i n 2 +\frac{R 4+R 5}{R 4} * \frac{1}{R 1 *\left(\frac{1}{R 1}+\frac{1}{R 2}+\frac{1}{R 3}\right)} * \text { Vin1}- \frac{R5}{R4}*Vin2 +R4R4+R5R1(R11+R21+R31)1 Vin1R4R5Vin2
总结为:
V o u t = A ∗ V r e f + B ∗ ( V i n 1 − V i n 2 ) Vout=A*Vref+B*(Vin1-Vin2) Vout=AVref+B(Vin1Vin2)
其中:
直流偏置部分:
R 4 + R 5 R 4 ∗ 1 R 2 ∗ ( 1 R 1 + 1 R 2 + 1 R 3 ) ∗  Vref  \frac{R 4+R 5}{R 4} * \frac{1}{R 2 *\left(\frac{1}{R 1}+\frac{1}{R 2}+\frac{1}{R 3}\right)} * \text { Vref } R4R4+R5R2(R11+R21+R31)1 Vref 
差分放大部分:
R 4 + R 5 R 4 ∗ 1 R 1 ∗ ( 1 R 1 + 1 R 2 + 1 R 3 ) ∗  Vin1 − R 5 R 4 ∗ V i n 2 \frac{R 4+R 5}{R 4} * \frac{1}{R 1 *\left(\frac{1}{R 1}+\frac{1}{R 2}+\frac{1}{R 3}\right)} * \text { Vin1}- \frac{R5}{R4}*Vin2 R4R4+R5R1(R11+R21+R31)1 Vin1R4R5Vin2
在FOC控制方式中,相电流偏置电压为 1 2 V r e f \frac{1}{2}Vref 21Vref,且为了由R4和R5控制放大比例,则有:
R 4 + R 5 R 4 ∗ 1 R 2 ∗ ( 1 R 1 + 1 R 2 + 1 R 3 ) = 1 2 \frac{R 4+R 5}{R 4} * \frac{1}{R 2 *\left(\frac{1}{R 1}+\frac{1}{R 2}+\frac{1}{R 3}\right)}=\frac{1}{2} R4R4+R5R2(R11+R21+R31)1=21
R 4 + R 5 R 4 ∗ 1 R 1 ∗ ( 1 R 1 + 1 R 2 + 1 R 3 ) = R 5 R 4 \frac{R 4+R 5}{R 4} * \frac{1}{R 1 *\left(\frac{1}{R 1}+\frac{1}{R 2}+\frac{1}{R 3}\right)} =\frac{R5}{R4} R4R4+R5R1(R11+R21+R31)1=R4R5
可得:R2=R3;R2 * R4 = 2R1 * R5 。通常R1 = R4;R2 = R3 = 2R5
即:
V o u t = 1 2 ∗ V r e f + R 5 R 4 ∗ ( V i n 1 − V i n 2 ) Vout=\frac{1}{2}*Vref+\frac{R5}{R4}*(Vin1-Vin2) Vout=21Vref+R4R5(Vin1Vin2)
V o u t = 1 2 ∗ V r e f + R 5 R 4 ∗ ( R ∗ I ) Vout=\frac{1}{2}*Vref+\frac{R5}{R4}*(R*I) Vout=21Vref+R4R5(RI)

将参数带入
VREF=2.5V;
R5=16K;
R4=2K;
R=0.005R;
可求得:
当电流为-30A时,Vout=0.05V;
当电流为0A时,Vout=1.25V;
当电流为30A时,Vout=2.45V;


初版原理图(后续修改后再更新):
在这里插入图片描述

### 使用三个电阻进行采样以重构相电流的方法及原理 #### 三电阻采样方法概述 在永磁同步电机(PMSM)的场定向控制(FOC)应用中,为了精确获取各相电流信息以便于实施有效的磁场定向控制策略,通常会采用多种不同的电流检测方案。其中一种常用的技术就是基于下桥臂配置三个独立分流电阻来分别测量每相电流的方式[^2]。 #### 原理说明 对于电压源型逆变器而言,在任意给定瞬间只有一半数量的功率器件处于导通状态而另一半则截止。因此,当某一特定时刻某相上下桥臂中的低边开关被激活时,则可以通过连接于此处的小阻值精密电阻上的压降变化情况间接得知流经该支路的实际电流量大小。具体来说: - 当A相低端开通(Sa=0),此时可以安全地读取IA; - 同理B相低端开启(Sb=0)期间能够获得IB的真实数值; - 而对于C相(C相低端打开, Sc=0), 则可以直接监测IC。 这种方法的优势在于它允许在整个PWM周期内的任何时间点都可对所有三相电流进行全面监控而不受死区效应影响,并且由于不存在共模干扰问题所以具有较高的精度和可靠性[^1]。 #### 实现细节 考虑到实际硬件设计需求以及成本效益等因素的影响,在选用适当规格参数(比如额定功耗、温度系数等特性)的同时还需要注意合理布局PCB走线路径减少噪声耦合可能性并确保良好的散热性能。此外,针对不同应用场景下的特殊要求还可以进一步优化算法逻辑结构提升整体响应速度与动态范围表现[^3]。 ```cpp // 示例代码片段展示如何处理来自ADC模块的数据转换为相应的相位电流值 void processCurrentSamples(float adcValue[], float &ia, float &ib, float &ic){ ia = (adcValue[0] * VREF / ADC_MAX_VALUE - OFFSET_A) / RESISTANCE; ib = (adcValue[1] * VREF / ADC_MAX_VALUE - OFFSET_B) / RESISTANCE; ic = (adcValue[2] * VREF / ADC_MAX_VALUE - OFFSET_C) / RESISTANCE; } ```
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