MOSFET 米勒平台与米勒电容

一、米勒平台

米勒效应现象

         随着栅极电压的增加，栅源gs寄生电容不断充电，栅极电荷也是不断增加的，当栅源极电压=米勒平台电压以后，此时，MOSFET的栅源gs寄生电容充满电了，开始给栅漏gd寄生电容充电，此时栅极电压基本不变，当栅漏gd寄生电容充满电后，栅极电压继续增加。

米勒平台影响

1.栅极电压的变化变得较慢从而会影响MOSFET的开关速度

2.栅极电流的增加和电容充电过程会增加开关损耗，特别是高频

3.MOSFET的不稳定工作，振荡、过冲

模型

米勒平台电压获取

一.数据手册

二.计算

1.Id=K*（Vgs-Vth)^2  根据数据手册下图任意取两点，两组方程解两组未知数 K Vth