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RSS订阅原创 MOSFET 米勒平台与米勒电容
随着栅极电压的增加，栅源gs寄生电容不断充电，栅极电荷也是不断增加的，当栅源极电压=米勒平台电压以后，此时，MOSFET的栅源gs寄生电容充满电了，开始给栅漏gd寄生电容充电，此时栅极电压基本不变，当栅漏gd寄生电容充满电后，栅极电压继续增加。1.栅极电压的变化变得较慢从而会影响MOSFET的开关速度2.栅极电流的增加和电容充电过程会增加开关损耗，特别是高频3.MOSFET的不稳定工作，振荡、过冲1.Id=K*（Vgs-Vth)^2 根据数据手册下图任意取两点，两组方程解两组未知数 K Vth。
2025-01-13 17:55:36
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原创 LCD与OLED屏幕
LCD。OLED，有机发光二极管。减少了背光单元，更轻薄，每个单元可自发光。个像素点的工作时间不一样，如果某个像素点长时间工作，那么很容易“提前老化”，永远印在屏幕上，也就是所谓的“一、对比：LCD屏幕由于存在背光层（不能完全闭合），黑色并不是纯黑，对比度很难做高；OLED屏幕黑色不发光，因此理论上OLED屏幕的对比度是无限的。：OLED屏幕像素点单独工作，黑色部分不工作；LCD屏幕无论显示什么，都需要背光全开，因此LCD屏幕要耗电一些。
2024-12-31 16:46:06
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原创 SPI通信协议
进行数 据位采样，数据在第一个时钟边沿被锁存。进行数 据位采样，数据在第二个时钟边沿被锁存。1：SCK时钟的第二个边沿。CPHA 0：SCK时钟的第一边沿。LSBFIRST位:输出数据位时可以。详情见STM32F1XX手册23章。共4种，双方模式一致方可通讯。引脚在空闲状态保持低电平。引脚在空闲状态保持高电平。位:每个数据帧可以是。
2024-12-25 13:25:58
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原创 IIC通信协议
当然，这都是根据手册极限值算的，实际情况到不了此数值，计算结果也有一定偏差。比如规定负载电容最大 400pF，实际上不会超过 200pF，且与总线上挂的从机数量也有关系。总线的容性负载与上拉电阻构成RC电路，R值过大，充放电时间（RC）就会久，而一旦充放电时间超过I2C上升沿、下降沿时间，就会对信号产生影响。再回过头看看，c8t6的I2C虽然内部有一个内部40K弱上拉电阻，但不符合传输要求，外部还是得接上拉电阻。不同模式对应参数不同，得出的电阻范围也不同。（挺全面的，就是太多了，抽空再仔细看看）
2024-12-24 15:20:20
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原创 基于数字控制的双向Buck－Boost电源（一）Buck原理
定义 - Buck降压电路:也叫斩波电路，是一种输出电压低于输入电压的降压转换器我
2021-10-01 21:40:09
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空空如也
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