SDRAM

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1.SDRAM简介：

SDRAM（Synchronous Dynamic Random Access Memory），同步动态随机存储器。同步、动态、随机是其性能特点的外在说明：

• 同步（Synchronous ）是指内存工作需要同步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准
• 动态（Dynamic ）是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失
• 随机（Random ）是指数据不是线性依次存储，而是自由指定地址进行数据读写

SDRAM具有空间存储量大、读写速度快、价格相对便宜等优点。然而由于SDRAM内部利用电容来存储数据，为保证数据不丢失，需要持续对各存储电容进行刷新操作；同时在读写过程中需要考虑行列管理、各种操作延时等，由此导致了其控制逻辑复杂的特点

对于 SDRAM，我们将类比于单元格的存储空间称之为存储单元，N(行列个数乘积)个存储单元构成一个存储阵列，这个存储阵列称之为一个逻辑Bank(Logical Bank，Bank)。SDRAM 内部分割为若干个 Bank。若干 Bank 的分割，原因一是基于技术、成本考量；二是由于 SDRAM 的工作原理限制，单一 Bank 可能会造成非常严重的寻址冲突。

这样一来，在对 SDRAM 进行数据读写时，要先确定 Bank 地址，再依次确定行地址和列地址，进而进行数据的读写操作，而且一次只能对一个 Bank 的一个存储单元进行操作

对SDRAM的读写是针对存储单元进行的，对SDRAM来说一个存储单元的容量等于数据总线的位宽，单位是bit

SDRAM存储数据是利用了电容能够保持电荷以及其充放电特性。一位数据的存取电路如上图所示，该存储单元主要由行列选通三极管，存储电容，刷新放大器组成。对于这一位的数据，要想将其读取出来，首先需要打开行地址(激活/active)，然后打开列地址，则电容的电平状态就能呈现在数据IO(data bit)上,即实现了读取。或者,数据线上的电平值被送到电容上,从而实现写入数据。

SDRAM 内部功能框图如下：

对SDRAM的操作,是通过对应命令来实现的，这些命令由CS_N，RAS_N，CAS_N，WE_N这几个控制信号组合成不同的状态以表示。同时，ADDR总线和DQM总线作为辅助信号，提供与命令相对应的参数(设置模式寄存器)或地址(读写命令)

需要的命令如下：

2.SDRAM初始化：

SDRAM 的初始化是芯片上电后必须进行的一项操作，只有进行了初始化操作的 SDRAM 芯片才可被正常使用。SDRAM 的初始化是一套预先定义好的