反相器后端版图设计

反相器后端版图设计

如下图所示是一个典型的反向器版图，在一个p衬底上的n阱做PMOS，上面的长方形白条指多晶硅也就是mos管的栅极，然后栅的左右是源极，源极通过有源区和衬底相连，因而通过金属和上方的contact相连，这个contact就是和衬底的接触，同时有源区和衬底会存在电阻，如果这个电阻过大就会产生闩锁效应。