90纳米制程是半导体制造制程的一个水平

90纳米制程是半导体制造制程的一个水平，大约于2004年至2005年左右达成。 这一制程由当时领先的半导体公司如英特尔、AMD、英飞凌、德州仪器、IBM和台積電所完成。

半导体器件制造
金屬氧化物半導體場效電晶體
10 µm – 1971 6 µm – 1974 3 µm – 1977  1.5 µm – 1981 1 µm – 1984 800 nm – 1987 600 nm – 1990 350 nm – 1993 250 nm – 1996 180 nm – 1999 130 nm – 2001 90 nm – 2003 65 nm – 2005 45 nm – 2007 32 nm – 2009 22 nm – 2012 14 nm – 2014 10 nm – 2016 7 nm – 2018 5 nm – 2020 3 nm – 2022
未來 2 nm ~ 2024
晶體管數量 互補式金屬氧化物半導體 半导体器件（多閘極電晶體） 摩尔定律 晶體管數量 半导体 半导体产业 纳电子学

许多厂商使用了193纳米的波长来进行关键层级的光刻。

此外，12英寸晶圓在这个制程上成为主流。

具有90纳米制程的产品

• IBM PowerPC G5 970FX 2004年
• 英特尔奔腾4 Prescott 2004年2月
• AMD Athlon 64 Winchester 2004年10月
• nVIDIA GeForce 6100系列、GeForce 7、Geforce 8800系列
• 任天堂Wii遊戲機的Broadway 微處理器
• ATi為任天堂Wii遊戲機開發的Hollywood GPU

参考文献

1. ^  Mueller, S. . informIT. 2006-07-21 [2012-05-11]. （原始内容存档于2015-04-27）.
2. ^  Myslewski, R. . TheRegister. 2011-11-15 [2015-04-19]. （原始内容存档于2015-04-27）.

先前 130纳米制程

半导体器件制造制程

其後 65纳米制程

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