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原创最新推荐文章于 2026-05-18 00:54:42 发布 581 阅读 AI 写同款· GEO 优化 ›

从SSD角度学习NAND Flash(二) 第一篇文章主要介绍了一些概念(CH CE Lun Plan Block Page Cell)，这些概念也是行业内的统一的。NAND Flash的主要作用就是存储,存储就存在Cell(有SLC、TLC的cell)中，拿SLC来说，一个cell就存一个bit，那么大家可以想象以计算机的庞大数据量来讲，一个操作系统就算一个G（1024M=8589934592bit）,那都已经超过一个32位unsigned int型的范围了，所以计算机也不会傻到一个bit一个bit去计算位置，然后存起来。就想你家的米仓库一样，你也阅读详情

从逻辑角度看，一个die有几个plane，一个plane有几个block，一个block有几个page。

但是，不理解物理层的架构，比如看到有文章说，SLC一个wordline对应一个page，TLC一个wordline对应三个page，但是对不上。比如层数32，也就是32个wordline，SLC page却是192，而不是32，为什么呢？

原因是，一个wordline会对应多个string，比如192/32=6个string。

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