TQ2440 学习笔记—— 7、NOR Flash 和 NAND Flash

非易失闪速存储器Flash 具有速度快、成本低、密度大的特点。

Flash 存储器主要有 NOR Flash 和 NAND Flash两种类型,总的来说, NOR 型比较适合存储程序代码,NAND 型则可用做大容量数据存储。


1、NOR 型 Flash 存储器

  NOR Flash 技术是由Intel 公司于1988年首先开发,它的出现彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。

NOR 的特点是芯片内执行(XIP,eXecute In Place),这样应用程序就可以直接在Flash 闪存内运行,不必再把代码读到系统的RAM中。NOR 的传输效率很高,但写入速度与擦除速度很低。NOR Flash 就是一个掉电后也不会丢失数据的SRAM。


2、NAND 型 Flash 存储器

NAND Flash 是当今市场上最主要的非易失大容量闪存。1989年,东芝公司发表了NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。

NAND 结构能提供极高的存储密度,并且写入

• 电源电压 - 1.65V ~ 1.95V - 2.70V ~ 3.60V • 组织结构 - 存储单元阵列: (256M + 8M) x 8bit - 数据寄存器: (2K + 64) x 8bit • 自动的编程(写入)擦除 - 页编程: (2K + 64)Byte - 块擦除: (128K + 4K)Byte • 页读取操作 - 页面大小 : (2K + 64)Byte - 随机读取 : 25µs(最大.) - 串行访问 : 25ns(最小.) (*K9F2G08R0A: tRC = 42ns(最小)) • 快速编程周期时间 - 页编程时间: 200µs(典型值) - 块擦除时间: 1.5ms(典型值) • 命令/地址/数据复用I/O端口 • 硬件数据保护 • - 编程/擦除在电源转换分离 可靠的CMOS浮栅技术 -耐力: 100K编程/擦除周期(有1bit/512Byte ECC) 数据保存时间: 10 年 • 命令式操作 • 带有1bit/528Byte EDC的智能Copy-Back编程 • 唯一的ID版权保护 • 封装 - K9F2G08R0A-JCB0/JIB0 : 无铅封装 63 - Ball FBGA I (10 x 13 / 0.8 mm 间距) - K9F2G08U0A-PCB0/PIB0 : 无铅封装 48 - Pin TSOP I (12 x 20 / 0.5 mm 间距) - K9F2G08U0A-ICB0/IIB0 52 - Pin ULGA (12 x 17 / 1.00 mm 间距) 本文档提供的为256Mx8bit的版本,K9F2G08X0A是2G-bit大小的NAND Flash存储器,带有64Mbit额外数据区(OOB区、冗余区)。此 NAND存储颗粒为固态存储市场应用提供了最具成本效益的解决方案。编程(写入)操作可以在200µs(典型值)对大小为(2K+64)Byte的页 进行写入,擦除操作可以在1.5ms(典型值)擦除大小为(128K+4K)的块。读取数据寄存器的数据周期时间为25ns(1.8v设备为42ns) 每字 节。I/O端口可以作为地址数据输入/输出,也可以作为命令输入。芯片上的写控制器自动完成所有的编程擦除功能包括脉冲重复、 并内部核查数据余量(如有需要)。即使是写入操作频繁的系统,也可以通过K9F2G08X0A采用实时映射算法的ECC(错误纠正码)来加 强多达的100K编程/擦除周期的可靠性,K9F2G08X0A是一个用于大型非易失性存储应用的最佳解决方案,例如固态文件存储其他用 于非易失性要求的便携式存储应用。
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