NAND Flash学习总结

一、NAND Flash综述
1.1 NAND基本概念
1.2 NAND组成单元及读写原理
1.3 NAND结构及特点
1.4 NAND分类
二、其他概念

一、NAND Flash综述

1.1 NAND基本概念

NAND Flash 是一种非易失性存储介质。非易失性存储技术是一种能够在断电后保持存储数据的存储技术。

• Nand Flash 中的 Nand的意思是 Not AND（与非门），意思就是该 Flash 的基础单元就是 与非门
• Nor Flash 中的 Nor的意思是 Not OR（或非门），意思就是该 Flash 的基础单元就是 或非门
  

1.2NAND组成单元及读写原理

NAND 的基本存储单元（Cell）是一种类 NMOS 的双层浮栅 MOS 管

• 如何写入和读取信息？
  
  在栅极和衬底之间加入一个高电压，P区里面的部分自由电子会被吸引到浮栅层，这样即使断电之后，自由电子也仍会存储在浮栅层，因为浮栅层上下都是二氧化硅绝缘层，自由电子无法逃出去，一位信息就是这样被存储进去，即写0。
  将栅极和衬底之间的电压反向，此时禁锢在浮栅层的电子就会被吸引出去，此时数据就会被擦除，即写1。
  读0：因为大部分电子已经被吸到浮栅导以，当控制栅加10V电压时，只有部分电子聚集到两个N型半导体之间，这些电子不够形成一个电子通道，导致源极和漏极之间无法导通，此时表示读到0 。
  读1：擦除之后读，因为浮栅层的电子全部释放回了P型半导体中，这时在控制栅加10V电压，P型半导体中的电子会聚集到N型半导体之间形成电子通道，源极和漏极之间接上电源，会导通，此时表示读到1 。
• 二氧化硅绝缘层也是绝缘的，自由电子如何通过？
  隧道效应：给二氧化硅绝缘层加入足够大的电压，电子就会通过该绝缘层。
  

1.3 NAND结构及特点

• 闪存快内部结构