三极管和mos管导通条件

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原创 2024-09-21 11:53:16 374 阅读 AI 写同款· GEO 优化 ›

NMOS和PMOS 先简单说下原理：当MCU通过I/O口输出高电平时，即POWER_EN =3.3V（假设MCU供电为3.3V），则Q1 NMOS管VGS > 阈值电压，Q1的漏极和源极导通，由图可知Q1源极接地，故Q2栅极接地，故Q2 PMOS管VGS > 阈值电压，所以Q2的源极和漏极导通，故电源VBAT通过Q2从漏极输出电压。那么又有疑问了，用MΩ不是更好么，说到这里我们再看上述提到的栅源之间的寄生电容，如果下拉电阻太大，栅源之间的寄生电容上的电荷在开关开闭后，得不到迅速释放，会影响MOS管的开关速度。阅读详情

三极管电流型控制器
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MOS管基础 MOS管，是MOSFET的缩写。MOSFET金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）场效应管分为结型（JFET）和金属-氧化物-半导体型（MOSFET）两种类型。 JFET的英文全称是Junction Field-Effect Transistor，也分为N沟道和P沟道两种，在实际中几乎不用。 MOSFET英文全称是Metal-Oxide-Semiconduct 阅读详情

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