低压自偏置共源共栅电流镜

参考1：电流镜与偏置技术
参考2：简单共源共栅电流镜以及两种自偏置低压共源共栅电流镜

MOS管串并联

在设计偏置电路时，常常用两个晶体管串联来抑制短沟道效应
例如M18、22，M14、16
假设两个串联MOS管栅长相同，则可得到：

简单共源共栅电流镜

两种低压自偏置共源共栅电流镜

参考：简单共源共栅电流镜以及两种自偏置低压共源共栅电流镜

bandgap电路中自偏置电流镜应用实例

实例一

实例二

虚线为Vb，M0,M2是两个串联的NMOS用于给M2，M34提供“Vb”的偏置
注意：将M33和M38设计得具有较大的沟长L和较大的过驱动电压，这是因为电流拷贝主要由M33和M38决定，因此较大的沟长L可以保证M33和M38输出阻抗更大，因而更少地受到漏端电压的影响，电流拷贝更为精准。而较大的过驱动电压可以保证他们受失配的影响更小。而作为减弱输出电压影响功能的M2和M34，出于面积和输出电压裕度的考虑，要求变得宽松了很多，事实上M2和M4在设计时甚至可以采用工艺允许的最小沟长。