一般IO口ESD回路架构

最新推荐文章于 2025-11-10 21:12:48 发布
原创 最新推荐文章于 2025-11-10 21:12:48 发布 · 2.4k 阅读 · 1 ·
CC 4.0 BY-SA版权
版权声明：本文为博主原创文章，遵循 CC 4.0 BY-SA 版权协议，转载请附上原文出处链接和本声明。

博客围绕一般IO口ESD架构展开，但内容缺失，推测会涉及该架构的原理、特点等信息技术相关关键信息。
ESD放电模式以及电源箝位 (power clamp )电路
DOG_BITE_DOG的博客
07-18 1万+
由于ESD电压具有很快的上升速度（其ESD脉冲上升时间约在10ns左右），Ｖrc端的电压因为RC延迟效应无法跟得上VDD端的ESD电压上升速度，Ｖrc端的为低电位导致反相器工由于ESD电压具有很快的上升速度（其ESD脉冲上升时间约在10ns左右），Ｖrc端的电压因为RC延迟效应无法跟得上VDD端的ESD电压上升速度，Ｖrc端的为低电位导致反相器工作将输出端Ｖout电压上拉到高电位。从而Vg端的高电位触发导通了NMOS元件（Ｍesd）的晶体管，因而ESD电流便经由Ｍesd而泄放掉。由于晶体管Ｍesd的栅极导通
什么是ESD（静电放电）及ESD保护电路的设计
GJZGRB的博客
06-24 1万+
ESD冲击金属屏蔽外壳时，最初几毫秒会比保护地电压高出许多，屏蔽外壳电压会随着 ESD电荷的转移而下降，所以最初的几毫秒内会对内部电路产生二次ESD冲击，所以仅仅使用外部屏蔽还不够，内部电路与屏蔽外壳必须共地，或者把内部电路 进行介质隔离。因此，作为主要的ESD危害来源，所有进入静电保护区域(EPA, electrostatic protected area)的工作人员必须接地，以防止任何电荷累积，并且所有表面应该接地，以维持所有东西都在相同的电势，防止ESD发生。该问题被每天的引起损害的活动复合在一起。
ESD(静电释放)上半部分
qq_34324044的博客
10-02 5325
ESD(静电释放)上半部分 ESD：Electro-Static discharge静电释放 1、ESD静电释放的模式 1.1 人体放电模式（human body mode） 人体会释放静电，那么人体对于芯片来说，意味着什么？ [外链图片转存失败,源站可能有防盗链机制,建议将图片保存下来直接上传(img-TY9CzNRO-1601649519998)(https://i.loli.net/2020/10/02/swBVkHAD17tJ5iW.png)] ​ 在A的时候，相当于人在生活中到处给自己的电容充电，
MCU的I/O防护
最新发布
技术工作者
11-10 1009
本文介绍了MCU I/O端口和运放输入端的防护设计方法。对于MCU I/O端口，主要采用串联电阻（100Ω-1kΩ）配合对地电容和内部钳位二极管的方案，可有效防护ESD、电源毛刺等干扰。运放输入端面临更严重的电压过冲威胁，推荐使用串联电阻（100Ω-1kΩ）加外部肖特基二极管（或TVS管）的双重防护，特别强调差分输入时需要匹配电阻精度。针对不同应用场景给出了具体建议：高速风筒可采用470Ω电阻加肖特基二极管的方案，恶劣环境（如电动工具）则需要更严格的防护措施，包括增大电阻值和加强钳位保护。设计流程强调实测验
《每日一题》NO.36：谈谈对ESD的理解
Eecourse的博客
08-16 848
E课网喊你来做题啦！
芯片I/O缓冲及ESD电路设计
08-05
文章详细介绍了基于CMOS的芯片I/O缓冲电路分类,功能,电路及版图设计的一些考虑以及芯片引脚的静电保护问题。
【资料分享】ESD防护设计-常见ESD保护电路图
岛主_Landor的博客
06-08 5192
基于可能发生的ESD事件分析,ESD可能会发生在I/O、PIN与电源和地之间，也会发生在不同的I/O PIN之间，也可能出现在电源和地之间，因此对于ESD保护电路的设计需要考虑所有可能发生ESD的情形。（4）ESD保护结构的设计要在电路的ESD性能、芯片面积、保护结构对电路特性的影响如输入信号完整性、电路速度、输出驱动能力等进行平衡考虑设计，还需要考虑工艺的容差，使电路设计达到化;在集成电路设计中加入ESD保护电路，当ESD来的时候，ESD保护电路发挥保护效果，避免集成电路内的元件被ESD损伤。
MCU引脚漏电流异常诊断：IO口静电损伤与ESD防护缺失的5大典型后果揭秘
[MCU引脚漏电流异常诊断：IO口静电损伤与ESD防护缺失的5大典型后果揭秘](https://resources.altium.com/sites/default/files/styles/max_width_1300/public/inline-images/hbm-test-circuit.png?itok=Fb1W8crN) ...
ESD/EMI防护设计
2503_91889531的博客
05-06 976
（3），信号经过板级连接器的，建议串接一定阻值电阻（2.2ohm-22ohm之间，以能满足信号完整性测试为准），并预留TVS器件，以提升抗静电、浪涌能力。（2），复位输入引脚的芯片，其RESET（或nPOR）管脚的100nF电容必须靠近管脚放置，电容的地焊盘保证有一个0402地过孔或更多，以保证良好接地。（8），PCB设计时要保证良好的内外层地回路，以保证静电回路的通畅，避免静电进入时产生较大的电势差造成系统控制异常。（1），关键信号（如RESET、时钟、中断等）、敏感信号等，与板边的距离不得小于5mm。
长线传输驱动不足？突破ESP32 IO口驱动瓶颈的4种缓冲器应用方案
ESP32 IO口驱动能力的理论基础与长线传输挑战 ESP32作为广泛应用的物联网主控芯片，其GPIO口在理想条件下可提供约12mA的驱动电流（IOH/IOL），但实际长线传输中面临输出阻抗不匹配、信号衰减和边沿畸变等问题。当...
漏电流与浮空引脚隐患曝光：未使用IO口处理的3种专业级方法
[漏电流与浮空引脚隐患曝光：未使用IO口处理的3种专业级方法](https://www.protoexpress.com/wp-content/uploads/2023/04/pcb-grounding-techniques-for-high-power-an-HDI-boards-final-1-1024x536.jpg) ...
几种常用的ESD结构
06-20
用于IO ESD的几种结构
蜂鸣器反向电动势危害与保护措施：ESP32 IO口防护设计要点（工程师私藏方案）
!...# 1. 蜂鸣器反向电动势的物理机制与危害分析 当蜂鸣器这类电感性负载断电时，线圈中...该高压若无泄放路径，将击穿驱动元件或耦合至MCU IO口，造成永久性损伤。尤其在ESP32等高集成度芯片中，缺乏外部保护时，钳位二
ESD 静电保护原理和设计
weixin_55967441的博客
02-10 1万+
静电放电(ESD: Electrostatic Discharge)，应该是造成所有电子元器件或集成电路系统造成过度电应力(EOS: Electrical Over Stress)破坏的主要元凶。 因为静电通常瞬间电压非常高(>几千伏)，所以这种损伤是毁灭性和永久性的，会造成电路直接烧毁。 所以预防静电损伤是所有IC设计和制造的头号难题。 静电，通常全都是人为产生的，如生产、组装、测试、存放、过程中都有可能使得静电累积在人体、搬运、仪器或设备中，甚至元器件本身也会累积静电，当人们在不知情的情况下.
【硬核干货：集成电路-ESD基础知识汇总——从原理到器件、电路和工艺一文总结讲透】
热门推荐
weixin_41872791的博客
04-04 2万+
保姆式笔记：集成电路-ESD基础知识汇总——从原理到器件、电路和工艺一文总结讲透
干货 | 电路设计中如何减少ESD？
2302_81754681的博客
03-20 1361
N 沟道MOS管和 P沟道MOS管之间的主要区别在于，在 N 沟道中，MOS管开关将保持打开状态，直到提供栅极电压。在这里，漏极的 PN 结是反向偏置的，而源极的 PN 结是正向偏置的。施加的电压越高，由于电子积累而形成的 n 沟道宽度越大，这最终会增加电导率，并且漏极电流 (ID ) 将开始在源极和漏极之间流动。根据MOS管的内部结构，在耗尽型 MOS管 中，栅极 (G)、漏极 (D) 和源极 (S) 引脚是物理连接的，而在增强模式下它们是物理分离的，这就是为什么增强模式MOS管的符号出现损坏。
硬件基础知识---（5）电阻的用法
zhangbijun1230的专栏
03-18 3596
简介电阻的特点是阻挡电能，电阻的关键参数有尺寸、阻值、精度和功率。电阻的应用场景非常多，都是围绕着电阻的特性来使用的。我们重点讲一下实际工作中遇到的电阻的功能，理论知识和计算公式就不赘述了。在初学者心目中，电阻就是拿来分压用的，但是实际项目中，绝大部分电阻都不是当作分压用的。电阻的特点是阻挡电能，电阻的关键参数有尺寸、阻值、精度和功率。电阻的应用场景非常多，都是围绕着电阻的特性来使用的。我们重点讲...
单片机（MCU）的 IO 口静电、浪涌、电压异常等保护
qqk808的博客
05-27 2575
单片机（MCU）的 IO 口在复杂或工业环境中容易受到静电、浪涌、电压异常等干扰，因此必须加以保护。以下是常见的。
电路及esd防护
weixin_37513940的博客
07-25 1万+
摘自网络 1、并联放电器件。 常用的放电器件有TVS，齐纳二极管，压敏电阻，气体放电管等。如图 1.1、齐纳二极管（ Zener Diodes ，也称稳压二极管 ） 。 利用齐纳二极管的反向击穿特性可以保护 ESD敏感器件。但是齐纳二极管通常有几十 pF 的电容，这对于高速信号（例如 500MHz）而言，会引起信号畸变。齐纳二极管对电源上的浪涌也有很好的吸收作用。 1.2、瞬变电压消除...
自带编程io的工业相机如何使用
03-08
- **急停回路**：将安全信号直接接入硬线回路（不经过软件） --- **行业应用案例**： - 锂电池极片检测：通过编码器触发实现±0.1mm同步 - 半导体晶圆定位：8相机系统μs级同步触发 - 药品包装检测：输出NG信号...
评论
添加红包

请填写红包祝福语或标题

个

红包个数最小为10个

元

红包金额最低5元

当前余额3.43元 前往充值 >
需支付：10.00元
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包
实付元
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明：

1.余额是钱包充值的虚拟货币，按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载，可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值