SRAM(静态随机存储器)
特点:容量小、功耗高、速度快(常用做缓存cache)
DRAM(动态随机存储器)
特点:数据保持时间短,使用电容存储,隔一段时间刷新一次,如果存储单元没有被刷新,存储的信息就会丢失(关机就会丢失),常用作系统内存(只有DRAM需要刷新)
SRAM比DRAM的占用面积更大,因而不适合用于更高储存密度低成本的应用,如PC内存。
参考:https://blog.youkuaiyun.com/zwx19921215/article/details/83900715
设存储空间为M * N位,现有存储芯片是m * n位。
若M=m ,N>n,需要对芯片进行位扩展。
若M>M,N=n,需要对芯片进行字扩展。
若M>m,N>n,需要对芯片进行字位扩展。
(1)为什么DRAM芯片的地址一般要分两次接收?
DRAM芯片由于容量较大,一般采用双地址译码方式,分成行地址译码和列地址译码,所以地址一般要分两次接收。
(2)若动态随机存储器2164里包含4个128*128存储矩阵,其刷新原则是什么? D
A.各DRAM矩阵轮流刷新
B.各DRAM矩阵同时刷新,片内逐位刷新
C.各DRAM矩阵同时刷新,片内逐字刷新
D.各DRAM矩阵同时刷新,片内逐行刷新
内存条选择:
这里的DDR3后面的字母“L”,代表的是Low Voltage的缩写。DDR3L全称是DDR3 Low Voltage,就是DDR3低电压版,其工作电压相比普通标准版的DDR3内存更低一些,功耗更低,但性能也略微更低一些。
DDR3,DDR4的区别
DDR3内存条 | DDR4内存条 | |
---|---|---|
起始频率 | 800MHz | 2133MHz |
最高频率 | 3000MHz | 3000MHz |
最大单条容量 | 64GB | 128GB |
功耗 | 1.5V | 1.2V |
不同 | 耗电较多,而且内存条容易发热降频,影响性能。低电压内存条一般主要用在笔记本、服务器等设备上,普通台式电脑很少使用这种低电压内存条。 | 工作电压多为甚至更低,更少的用电量和更小的发热,提升了内存条的稳定性。 |