SRAM和DRAM的区别及内存条的选择

本文介绍了SRAM和DRAM两种类型的随机存储器,SRAM速度快但功耗高,常作为缓存;而DRAM存储密度高,但需要定期刷新以保持数据。DRAM的地址通常分两次接收,内存条选择中提到了DDR3L低电压版,适合追求节能的场景。此外,还提供了DDR3和DDR4的区别链接。

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SRAM(静态随机存储器)

特点:容量小、功耗高、速度快(常用做缓存cache)

DRAM(动态随机存储器)

特点:数据保持时间短,使用电容存储,隔一段时间刷新一次,如果存储单元没有被刷新,存储的信息就会丢失(关机就会丢失),常用作系统内存(只有DRAM需要刷新)

SRAM比DRAM的占用面积更大,因而不适合用于更高储存密度低成本的应用,如PC内存。

参考:https://blog.youkuaiyun.com/zwx19921215/article/details/83900715
设存储空间为M * N位,现有存储芯片是m * n位。
若M=m ,N>n,需要对芯片进行位扩展。
若M>M,N=n,需要对芯片进行字扩展。
若M>m,N>n,需要对芯片进行字位扩展。

(1)为什么DRAM芯片的地址一般要分两次接收?
DRAM芯片由于容量较大,一般采用双地址译码方式,分成行地址译码和列地址译码,所以地址一般要分两次接收。

(2)若动态随机存储器2164里包含4个128*128存储矩阵,其刷新原则是什么? D
A.各DRAM矩阵轮流刷新
B.各DRAM矩阵同时刷新,片内逐位刷新
C.各DRAM矩阵同时刷新,片内逐字刷新
D.各DRAM矩阵同时刷新,片内逐行刷新


内存条选择:

这里的DDR3后面的字母“L”,代表的是Low Voltage的缩写。DDR3L全称是DDR3 Low Voltage,就是DDR3低电压版,其工作电压相比普通标准版的DDR3内存更低一些,功耗更低,但性能也略微更低一些。
DDR3,DDR4的区别

DDR3内存条DDR4内存条
起始频率800MHz2133MHz
最高频率3000MHz3000MHz
最大单条容量64GB128GB
功耗1.5V1.2V
不同耗电较多,而且内存条容易发热降频,影响性能。低电压内存条一般主要用在笔记本、服务器等设备上,普通台式电脑很少使用这种低电压内存条。工作电压多为甚至更低,更少的用电量和更小的发热,提升了内存条的稳定性。

相关了解:https://blog.youkuaiyun.com/llzhang_fly/article/details/87298687?depth_1-utm_source=distribute.pc_relevant.none-task&utm_source=distribute.pc_relevant.none-task

https://blog.youkuaiyun.com/hdanbang/article/details/45640213?depth_1-utm_source=distribute.pc_relevant.none-task&utm_source=distribute.pc_relevant.none-task

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