42、垂直隧道场效应晶体管与纳米颗粒增强铝合金微车削模拟研究

垂直隧道场效应晶体管与纳米颗粒增强铝合金微车削模拟研究

在当今科技飞速发展的时代，电子器件和材料加工领域的研究日新月异。垂直隧道场效应晶体管（Vertical Tunnel FET）在低功耗数字应用方面展现出巨大潜力，而纳米颗粒增强铝合金复合材料的加工也面临着新的挑战与机遇。本文将深入探讨这两个领域的相关研究。

垂直隧道场效应晶体管研究

垂直隧道场效应晶体管在解决一些传统晶体管的问题上表现出色。通过TCAD Sentaurus模拟和测量，研究人员对垂直TFET中嵌入式Si₁₋ₓGeₓ/Si gated二极管的物理特性进行了详细分析。

• 器件特性提升 ：使用非局部隧穿模型进行模拟发现，随着锗含量在摩尔分数、功函数和介电常数k等方面的增加，垂直隧道FET的器件特性得到显著改善。它能够实现相对较高的ION/IOFF电流比（约10¹⁰）、阈值电压VT（约0.352 V）以及最大Ion电流1.126 × 10⁻⁵ (A/µm)。
• 双极性抑制 ：采用栅极下重叠区域技术可以有效减少双极性传导。当栅极与漏极区域的接触减少时，会形成隧穿势垒，即使在Vgs为负偏置的情况下，也能降低双极性。

特性	数值
ION/IOFF电流比	~10¹⁰
阈值电压VT	~0.352 V