荷塘阅色

复旦大学AnQuanJiang团队在《NatureCommunications》发表研究，通过原子层沉积技术制备Hf0.5Zr0.5O2（HZO）薄膜电容器，结合等离子体处理获得突破性性能：介电常数达921，储能密度584J/cm³，效率近100%。研究揭示了铁电性消失后氧空位有序排列产生超高介电常数的机制，并通过同步辐射衍射和STEM分析证实了微观结构转变。该材料在85-300K温度范围内保持稳定，经1万亿次循环后仍能维持100μC/cm²电荷密度，为高密度DRAM和CMOS器件集成提供了新方案。

2025年，维也纳工业大学的Seyed Mehdi Sattari-Esfahlan和Tibor Grasser等人基于实验研究，深入探究了单晶SrTiO3（STO）基MoS2场效应晶体管（FETs）的性能、稳定性和可靠性。研究团队通过脉冲激光沉积（PLD）方法制备了STO薄膜，并将其与MoS2薄片集成，构建了背栅FET器件。实验结果表明，STO作为栅介质展现出诸多优异特性。首先，STO具有超高介电常数（约300），能够有效降低漏电流，使器件在等效氧化物厚度（EOT）约为4.8 nm时，漏电流密度低至约10