【TCAD】AlGaN 器件的Sentaurus仿真

16.1 概述
16.2 AlGaN/GaN 参数文件
16.3 晶体和器件方向
16.4 III-氮化物特定物理模型：极化效应
16.5 III族氮化物器件中的陷阱
16.6 AlGaN 特定数值参数
16.7 应用示例：p 栅极 AlGaN HFET
16.8 应用示例：GaN pin 二极管
16.9 相关应用说明

目标

• 演示 Sentaurus 器件中实现的各种极化模型的使用。
• 演示p栅极AlGaN HFET的Id-Vg仿真。